研究突出了

在IEEE期刊和高声誉的同行评审会议上发表了190篇论文。在IEEE国际电子器件会议(IEDM)和IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上发表了47篇论文，这是电子器件领域最负盛名的两个会议。

书籍，书籍章节和技术简报

1. 《面向量子FinFET》一书中“面向SoC应用的漏极扩展finfts”章节，韩卫华和王志明主编，施普林格，2013年12月，ISBN 978-3-319-02021-1。

2. Shrivastava玛雅和V. Ramgopal Rao，“隧道场效应晶体管”，现在，过去和未来，技术简报出现在IEEE EDS通讯，2016年7月(封面文章)。

摘要出现在IEEE EDS通讯，2016年7月(封面文章)。

国际同行评议期刊

1. Rajarshi Roy Chaudhuri, Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi和Shrivastava玛雅，“在c掺杂GaN缓冲液上的AlGaN/GaN HEMTs中随时间变化的热电子电流约束的观察和物理见解”，接受，IEEE电子器件学报
2. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅“热电子诱导自热在确定栅叠加相关动态R中的独特作用_在半开状态下的AlGaN/GaN HEMTs，“接受，IEEE电子器件汇刊
3. Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅器件设计和碳掺杂GaN缓冲参数在确定动态R中的相互作用_在在AlGaN/GaN HEMTs中，“接受，IEEE电子器件汇刊
4. Jeevesh Kumar, Utpreksh Patbhaje和Mayank Shrivastava，“呼吸模式的温度系数估计和少层磷的层间声子散射模型”，发表在ACS Omega
5. Ansh和Mayank Shrivastava，“cvd生长的单层MoS2电诱导缺陷的性质”，发表在《自然通讯》上。DOI:10.21203 / rs.3.rs - 1475233 / v1
6. Ankit Soni和Shrivastava玛雅，“AlGaN/GaN Epi-Stack中各种电荷源对HEMTs中漏极和栅极连接场板设计的影响”，接受发表在IEEE Access上
7. Jeevesh Kumar, Utpreksh Patbhaje和Shrivastava玛雅，“通道反演在环境降解磷场效应管中的作用”，IEEE电子器件学报，卷:69，第6期，2022年6月．DOI:10.1109 / TED.2022.3171504
8. n·k·克兰提，詹姆斯·迪·萨罗，克里希纳·拉贾戈帕尔，汉斯·昆兹，拉杰库马尔·桑卡拉林加姆，吉安卢卡·博塞利和Shrivastava玛雅，“双向高压scr中导致空气放电系统级ESD故障的独特上升时间敏感性”，发表于(2022年3月28日)IEEE电子器件汇刊，卷:69，期:5,2022年5月。DOI:10.1109 / TED.2022.3159281
9. Kuruva Hemanjaneyulu, Adil Meersha, Jeevesh Kumar和Mayank Shrivastava，在活性离子刻蚀过程中揭示tmd中无意的氟掺杂:根本原因分析，物理见解和解决方案，发表(2022年3月9日)IEEE电子器件学报，卷:69，第4期，2022年4月。DOI:10.1109 / TED.2022.3152459
10. Hemanjaneyulu Kuruva, Jeevesh Kumar和Shrivastava玛雅，“二维少层过渡金属二卤代化物反门控场效应管接触电阻提取的y函数方法中的缝隙”，发表于(2022年2月7日)IEEE电子设备快报。卷数:43期，第4期，2022年4月。DOI:10.1109 / LED.2022.3149410
11. Aakanksha Mishra,Shrivastava玛雅还有Ankur Gupta，高电压LDMOS中特殊双模on态击穿背后的根本原因，发表于(2022年2月23日)IEEE Transactions on Electron Devices。卷:69，期:4,2022年4月。DOI:10.1109 / TED.2022.3149236
12. Jeevesh Kumar, Adil Meersha, Harsha Balakrishnan Variar, Abhishek Mishra和Shrivastava玛雅”,碳空位辅助石墨烯fet接触电阻工程，发表于(2022年2月28日)IEEE Transactions on Electron Devices。卷:69，期:4,2022年4月。DOI:10.1109 / TED.2022.3151033
13. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅，误门控AlGaN/GaN HEMTs中动态电阻的独特栅极偏置依赖性及其对2度栅极控制的依赖性， IEEE电子器件学报，卷:69，第3期，2022年3月。DOI:10.1109 / TED.2022.3144378
14. n·s·克兰提，吉安卢卡·博塞利和Shrivastava玛雅，移动电流灯丝增强ESD稳健性的HV-LDMOS器件工程见解， IEEE电子器件学报，卷:69，第3期，2022年3月。DOI:10.1109 / TED.2022.3143073
15. 吉维什·库马尔和Shrivastava玛雅”,基于第一性原理的分子动力学对磷酸原子级降解途径的研究， ACS欧米茄，卷:7,Issue: 1,696 - 704, 2022年1月。戴奥:https://doi.org/10.1021/acsomega.1c05353
16. Ansh和Shrivastava玛雅，基于单分子MoS2通道的门控二元电阻RAM通过栅极偏置依赖和独特的形成过程实现卓越的电阻开关，物理杂志D:应用物理，第55卷，第8期，2021年11月．
17. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅，第一部分:动态RON行为的物理洞察和AlGaN/GaN HEMTs中独特的依赖时间的临界应力电压IEEE电子器件学报，第68卷，第11期，2021年11月。DOI:10.1109 / TED.2021.3109847
18. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅，使用p型AlTiO缓解AlGaN/GaN HEMTs动态ON电阻行为的新型表面钝化方案-第二部分，《IEEE电子器件学报》，第68卷，第11期，2021年11月。DOI:10.1109 / TED.2021.3064531
19. 玛雅ShrivastavaV. Ramgopal Rao，使用二维材料的颠覆性应用和异构集成路线图:最新技术和技术挑战，中科院纳米通讯，21,15,6359-6381,2021年8月。DOI:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c00729
20. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和玛雅Shrivastava，AlTiO栅极中引起p型掺杂的深能级态的观察& AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的正阈值电压漂移应用物理学报130,015701(2021)。DOI:https://doi.org/10.1063/5.0053982
21. Rajarshi Roy Chaudhuri, Vipin。Joshi, Sayak Dutta Gupta和玛雅Shrivastava，AlGaN/GaN HEMTs中通道热电子与c掺杂GaN缓冲液的相互作用及栅极降解IEEE电子器件学报，第68卷，第10期，2021年10月。DOI:10.1109 / TED.2021.3102469
22. n·k·克兰提，詹姆斯·迪·萨罗，拉杰库马尔·桑卡拉林加姆，吉安卢卡·博塞利和玛雅Shrivastava，高压DeNMOS-SCR中的系统级IEC ESD故障:物理见解和设计指南，《IEEE电子器件学报》，第68卷，第9期，2021年9月。DOI:10.1109 / TED.2021.3100810
23. Ankit Soni和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN Epi-Stack中不同电荷源对HEMT击穿的相互作用，《IEEE电子器件学报》，第68卷，第5期，2021年5月。DOI:10.1109 / TED.2021.3068079
24. Abhishek Mishra, Adil Meersha, N.K. Kranthi, Jeevesh Kumar, N.S. Veenadhari Bellamkonda, Harsha B. Variar和Shrivastava玛雅，石墨烯FET电热击穿的统一机理及其对安全运行极限的影响，《IEEE电子器件学报》，第68卷，第5期，2021年5月。DOI:10.1109 / TED.2021.3068081
25. Ankit Soni和Shrivastava玛雅，用于太赫兹的凹进肖特基势垒AlN/GaN二极管设计导则，《电子器件学报》，卷:68，第5期，2021年5月，DOI:10.1109 / TED.2021.3064541
26. Jeevesh Kumar, Ansh，Shrivastava玛雅，石墨烯近远红外直接带隙的介绍:第一性原理洞见， ACS Omega 2021, Vol. 6, Issue: 8,5619 - 5626, 2021年2月。DOI:https://doi.org/10.1021/acsomega.0c06058
27. Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅第一部分:表面陷阱对AlGaN/GaN HEMTs击穿特性影响的物理洞察，《电子器件学报》，卷:68，期:1，页:72-79,2021年1月。DOI:10.1109 / TED.2020.3034561
28. Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta, Rajarshi Roy Chaudhuri和Shrivastava玛雅表面和缓冲陷阱在控制AlGaN/GaN HEMTs击穿特性中的相互作用-第二部分，《电子器件学报》，卷:68，期:1，页:80-87,2021年1月。DOI:10.1109 / TED.2020.3034562
29. Jeevesh Kumar, Ansh和Shrivastava玛雅，“Stone-Wales缺陷空位辅助增强石墨烯和环境气体之间的原子轨道相互作用:第一性原理洞察”， ACS Omega，卷:5，期:48，页:31281-31288,2020年12月。DOI:https://doi.org/10.1021/acsomega.0c04729
30. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，陷阱辅助和应力诱导的AlGaN/GaN HEMTs的安全工作区域限制， IEEE器件与材料可靠性学报，卷:20，期:4，页:767-774,2020年12月。DOI:10.1109 / TDMR.2020.3033522
31. Ansh, Jeevesh Kumar, Gaurav Sheoran和Shrivastava玛雅，cvd生长单层MoS2晶体管电热输运诱导的材料重构和性能退化，《自然科学》，2020年11月，4(1)，1-11。DOI:https://doi.org/10.1038/s41699-020-00171-3
32. Ankit Soni和Shrivastava玛雅，嵌入式AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的设计准则和性能权衡， IEEE电子器件学报，vol: 67, Issue: 11, page:4834-4841, 2020年11月。DOI:10.1109 / TED.2020.3024354
33. B. Sampath Kumar, Ajay Singh, Milova Paul, Jhnanesh Somayaji, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，器件，电路和可靠性评估的漏极扩展finfet在芯片上应用的子14纳米系统，电子器件学报，卷:67，期:11，页:4728-4735,2020年11月。DOI:10.1109 / TED.2020.3020904
34. Rajat Sinha, Prasenjit Bhattacharya, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅，纳秒时间尺度漏极电压诱导的氢化非晶硅薄膜晶体管的电不稳定性，日本应用物理杂志，卷:59，期:7，页:074004,2020年7月。DOI:1347 - 4065 / 10.35848 /
35. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Sayak Dutta Gupta, Swati Shikha, Sandeep Singh, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“在快速循环瞬态应力下，SOA边界的时间依赖偏移和AlGaN/ GaN HEMTs中Epi-Stack的早期击穿”， IEEE器件与材料可靠性学报，卷:20，期:3，页:562-569,2020年7月。DOI:10.1109 / TDMR.2020.3007128
36. Milova Paul, Sampath B, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，同时改善ESD/闭锁行为和热载流子可靠性的大型FinFET工程方案， IEEE电子器件学报，卷:67，期:7，页:2745-2751,2020年6月。DOI:10.1109 / TED.2020.2997757
37. B. Sampath Kumar, Milova Paul, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，漏极扩展finfet (definfet)的ESD行为的物理洞察和独特的电流灯丝动力学， IEEE电子器件学报，第67卷，第7期，2020年7月。DOI:10.1109 / TED.2020.2994170
38. Andrew Naclerio Dmitri, N Zakharov, Jeevesh Kumar, Bridget R. Rogers, Cary L. Pint, Mayank Shrivastava和Piran R. Kidambi，“通过原位透射电镜观察少层黑磷的氧化机制”， ACS应用。板牙。接口2020,DOI:10.1021 / acsami.9b21116
39. Bhawani Shankar, Ankit Soni和Shrivastava玛雅，脉冲开关条件下嵌入式势垒AlGaN/GaN肖特基二极管的电热-机械可靠性， IEEE电子器件学报，卷:67，第5期，2020年5月，pp: 2044-2051。DOI:10.1109 / TED.2020.2981568．
40. Ankit Soni, Ajay Singh和Shrivastava玛雅，新型漏极连接场板GaN HEMT设计，改善VBD−RON权衡和RF PA性能， IEEE电子器件学报，卷:67，第4期，2020年4月，pp: 1718-1725。DOI:10.1109 / TED.2020.2976636
41. Bhawani Shankar, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“在ESD条件下AlGaN/GaN HEMTs的不同失效模式”IEEE电子器件学报，卷:67，第4期，2020年4月，pp: 1567 - 1574。DOI:10.1109 / TED.2020.2974508
42. 安什，吉维什·库马尔，高拉夫·希奥兰，哈沙·瓦拉尔，拉维克什·米什拉，赫曼janeyulu Kuruva，阿迪尔·米尔沙，阿比谢克·米什拉，斯里尼瓦桑·拉加万和Shrivastava玛雅，“硫化物辅助增强TMD -金属界面原子轨道相互作用&硫钝化提高2D TMD fet的整体性能”电子器件学报，vol: 67, Issue:2, 2020年2月，pp: 717-724。DOI:10.1109 / TED.2019.2958338．
43. Ansh Jeevesh。库马尔，高拉夫·希兰，拉维克什·米什拉，斯里尼瓦桑·拉格哈万和Shrivastava玛雅，硫辅助金属诱导间隙态工程在二硒化钨(WSe2)场效应晶体管中的选择性电子或空穴传导电子器件学报，vol: 67, Issue:1, 2020年1月，pp: 383-388。DOI: 10.1109 / TED.2019.2956781。
44. M. Paul, B. Sampath Kumar, K. Karmel Nagothu, P. Singhal, H. Gossner和Shrivastava玛雅，“漏极扩展FinFET与嵌入式可控硅(DeFinFET-SCR)用于高压ESD保护和自保护设计，，载于《IEEE电子器件汇刊》第66卷，no。12，第5072-5079页，2019年12月。DOI: 10.1109 / TED.2019.2949126。
45. Prasenjit Bhattacharya, Rajat Sinha, Bikash Kumar Thakur, Virendra Parab，Shrivastava玛雅， Sanjiv Sambandan，自适应介质薄膜晶体管-一种低功率静电放电保护自配置装置， IEEE电子器件通讯，卷:41,Issue: 1, 2020年1月。DOI:10.1109 / LED.2019.2956838．
46. Ankit Soni和Shrivastava玛雅，基于计算建模的器件设计，提高毫米波性能和GaN HEMTs的线性度电子器件学报，vol: 8, Issue:1, pp: 33-41, 2020年1月，DOI: 10.1109/JEDS.2019.2958915
47. Rajat Sinha, Prasenjit Bhattacharya, Sanjiv Sambandan，还有玛雅Shrivastava“纳秒级时间尺度的氢化非晶硅高场相变。”应用物理学报126,no。13(2019): 135706。
48. Bhawani Shankar和Shrivastava玛雅，“极化超级结GaN HEMTs和二极管的安全工作区域”王志强，电子器件学报，vol: 66, Issue:9, Page(s): 3756-3763, 2019年9月，DOI: 10.1109/ ed .2019.2926781。
49. Ankit Soni, Swati Shikha和Shrivastava玛雅，界面态在AlGaN/GaN肖特基凹进二极管中的作用:物理见解、性能权衡和工程指南， IEEE电子器件学报，第66卷，第6期，2019年6月。DOI: 10.1109 / TED.2019.2912783。
50. Hemanjaneyulu Kuruva, Jeevesh Kumar和Shrivastava玛雅，使用碘化钾进行MoS2掺杂以获得可靠的接触和高效的FET操作， IEEE电子器件学报，卷:66，第7期，2019年7月，Page(s): 3224 - 3228。DOI: 10.1109 / TED.2019.2916716。
51. Sayak Dutta Gupta, Ankit Soni, Rudrarup Sengupta, Heena Khand, Bhawani Shankar, Nagboopathy Mohan, Srinivasan Raghavan, Navakanta Bhat，和Shrivastava玛雅，基于AlxTi1-xO栅极堆栈工程的AlGaN/GaN HEMTs的正阈值电压漂移和e模式操作《电子器件学报》，2019年6月，第6期，Page(s): 2544 - 2550。DOI: 10.1109 / TED.2019.2908960。
52. Rajat Sinha, Prasenjit Bhattacharya, Tim Iben, Sanjeev Sambandan和Shrivastava玛雅，a-Si:H薄膜晶体管技术的ESD可靠性研究:物理见解和技术意义， IEEE电子器件学报，第66卷，第6期，2019年6月。DOI: 10.1109 / TED.2019.2913040。
53. Bhawani Shankar, Rudrarup Sengupta, Sayak Dutta Gupta, Ankit Soni, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN肖特基二极管的ESD行为，《器件与材料可靠性》，vol: 19, Issue: 2, 2019年6月，Page(s): 437 - 444。DOI: 10.1109 / TDMR.2019.2916846(邀请报告)
54. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Hareesh Chandrasekar, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs中陷阱辅助雪崩不稳定性和安全操作区域问题的首次观测《电子器件学报》，2019年8月，第8期，Page(s): 3433 - 3440。DOI: 10.1109 / TED.2019.2919491。
55. Bhawani Shankar和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs独特的ESD行为，《器件与材料可靠性》，vol: 19, Issue: 2, 2019年6月，Page(s): 437 - 444。DOI: 10.1109 / TDMR.2019.2916846。
56. Nagothu Karmel Kranthi, Abhishek Mishra, Adil Meersha和Shrivastava玛雅，大面积CVD石墨烯晶体管的ESD行为:物理见解和技术限制， IEEE电子器件汇刊，Vol, 66，问题:1，页数:743 - 751,2019年1月。（DOI:10.1109 / TED.2018.2877693)
57. Vipin Joshi, Shree Prakash Tiwari，还有Shrivastava玛雅，第一部分:AlGaN/GaN HEMTs中碳掺杂对击穿电压改善的物理洞察， IEEE电子器件汇刊，Vol.， 66，问题:1，页:561 - 569,2019年1月。DOI:10.1109 / TED.2018.2878770
58. Vipin Joshi, Shree Prakash Tiwari，还有Shrivastava玛雅，第二部分:针对超高击穿AlGaN/GaN HEMTs在GaN缓冲液中独立设计给体和受体陷阱浓度的建议， IEEE电子器件汇刊，Vol.， 66，问题:1，页:570 - 577,2019年1月。（DOI:10.1109 / TED.2018.2878787)
59. Milova Paul, B. Sampath Kumar, Christian Russ, Harald Gossner，Shrivastava玛雅，基于鳍片的scr设计的挑战和物理见解以及用于有效片上ESD保护的新型鳍片scr， IEEE电子器件学报，Vol, 65, Issue: 11, page: 4755 - 4763, 2018年11月。（DOI:10.1109 / TED.2018.2869630)
60. Milova Paul, Christian Russ, B Sampath Kumar, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，《ESD条件下ggNMOS器件的电流成丝物理研究》， IEEE电子器件学报，Vol, 65, Issue: 7, pp. 2981 - 2989, 2018年7月。（DOI:10.1109 / TED.2018.2835831)
61. Abhishek Mishra, Adil Meersha, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，纳米秒尺度下石墨烯通道非平衡输运状态的观察，应用物理学报，Vol. 111, Issue: 26, page: 263101- 6,2018年12月。（DOI:10.1063/1.5006258)
62. B萨姆帕斯·库马尔和Shrivastava玛雅，第一部分:LDMOS器件准饱和物理的统一， IEEE电子器件学报，Vol. 65，第1期，page: 191-198, 2018年1月。(DOI:10.1109 / TED.2017.2777004）
63. B萨姆帕斯·库马尔和Shrivastava玛雅，第二部分:射频、ESD、HCI、SOA和LDMOS器件中的自热问题与准饱和， IEEE电子器件学报，Vol. 65，第1期，page: 199-206, 2018年1月。(DOI:10.1109 / TED.2017.2732504）
64. Abhishek Misra, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，MWCNT互连的ESD行为-第一部分:观察和见解《电子工程学报》，2017年12月，第17卷，第4期，页:600-607。(DOI:10.1109 / TDMR.2017.2756924）(特邀检讨论文)
65. Abhishek Misra和Shrivastava玛雅，MWCNT互连的ESD行为-第二部分:独特的电流传导机制，《电子工程学报》，2017年12月，第17卷，第4期，页:608-615。（DOI:10.1109 / TDMR.2017.2738701）(特邀检讨论文)
66. Jhnanesh Somayaji, B.Sampath Kumar, M. s Bhat，Shrivastava玛雅，超结漏极扩展MOS器件的性能和可靠性协同设计，电子器件学报，Vol, 64，问题:10，页:2017年10月，4175 - 4183。（DOI:10.1109 / TED.2017.2733043）
67. Abhishek Mishra, Ravi Nandan, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，纳米秒时间分辨率的MWCNTs高场传输热影响研究，应用物理学报，Vol. 11, page: 233111- 6,2017年5月。（https://doi.org/10.1063/1.4984282）
68. Abhishek Mishra和Shrivastava玛雅，“毫微秒时间尺度探测MWCNTs中远程焦耳加热辅助载流子传输”，物理化学化学物理(PCCP)英国皇家化学学会杂志，Vol. 18, page: 28932-28938, 2016年6月。(DOI: 10.1039 / C6CP04497B)
69. Shrivastava玛雅，“漏极扩展隧道FET -一种新型高电压器件，用于芯片和汽车应用上的超FinFET系统”，电子器件学报，第64卷，第2期，页:481 - 487,2017年2月。(DOI:10.1109 / TED.2016.2636920）
70. Vipin Joshi, Ankit Soni, Shree Prakash Tiwari和Mayank Shrivastava，AlGaN/GaN HEMTs的综合计算建模方法， IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 15, Issue: 6, page: 947 - 955, 2016年11月。(DOI:10.1109 / TNANO.2016.2615645）
71. Kranthi Nagothu和Shrivastava玛雅，隧道FET器件的ESD行为研究， IEEE电子器件学报，Vol. 64，第1期，page: 28 - 36, 2017年1月。(DOI:10.1109 / TED.2016.2630079）
72. Ankur古普塔Shrivastava玛雅、Maryam Shojaei Baghini、Dinesh Kumar Sharma、Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，漏极扩展MOS器件高频线性度的改进， IEEE微波与无线器件通讯，第26卷，第12期，页:999-1001,2016年12月。(DOI:10.1109 / LMWC.2016.2623239）
73. Peeyusha S. Swain，Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，先进DeMOS晶体管中几何相关的准饱和和gm还原， IEEE电子器件学报，Vol. 63, Issue: 4, page: 1621 1629, 2016年4月。(DOI:10.1109 / TED.2016.2528282）
74. Mayur Ghatge和Shrivastava玛雅，模糊金属石墨烯界面的物理研究及改进接触电阻的建议， IEEE电子器件学报，Vol. 62, Issue: 12, page: 4139- 4147, 2015年12月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2481507）
75. Ketankumar H. Tailor，Shrivastava玛雅， Harald Gossner, Maryam Shojaei Baghini和V. Ramgopal Rao，第一部分:sti型漏极扩展PMOS器件两级击穿特性的物理洞察， IEEE电子器件学报，Vol. 62, Issue: 12, page: 4097- 4104, 2015年12月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2481899）
76. Ketankumar H. Tailor，Shrivastava玛雅， Harald Gossner, Maryam Shojaei Baghini和V. Ramgopal Rao，第二部分:提高sti型DePMOS器件击穿和混合信号性能的井掺杂剖面设计， IEEE电子器件学报，Vol. 62，第12期，page: 4105-4113, 2015年12月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2488683）
77. Kuruva Hemanjaneyulu和Shrivastava玛雅，“带鳍面积的隧道场效应管”， IEEE电子器件学报，Vol. 62, Issue: 10, page: 3184- 3191, 2015年10月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2469678）
78. Ankur古普塔Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, A. N. Chandorkar, Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，第二部分:全集成28nm CMOS射频PA器件设计优化性能和ESD稳健性， IEEE电子器件学报，Vol. 62, Issue: 10, page: 3176-3183, 2015年10月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2470109）
79. Ankur古普塔Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, A. N. Chandorkar, Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，第一部分:提高静态和射频性能的高压MOS器件设计， IEEE电子器件学报，Vol. 62, Issue: 10, page: 3168- 3175, 2015年10月。(DOI:10.1109 / TED.2015.2470117）
80. Shrivastava玛雅， Neha Kulshrestha和Harald Gossner，多壁碳纳米管的ESD研究，《器件与材料可靠性》，2014年3月，第14卷，第1期，页:555 - 563。(DOI:10.1109 / TDMR.2013.2288362）
81. Peeyush情郎,Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，M. S.巴吉尼和V. Ramgopal Rao，基于DeMOS晶体管的1ghz以上5v电平变换器器件-电路协同设计， IEEE电子器件学报，Vol. 60, Issue: 11, page: 3827-3834, 2013年11月。(DOI:10.1109 / TED.2013.2283421）
82. Anukool Rajoriya,Shrivastava玛雅、哈拉尔德·戈斯纳、托马斯·舒尔茨和V.拉姆戈帕尔·拉奥基于面积缩放隧道FET器件的性能驱动移动系统的Sub 0.5V操作， IEEE电子器件学报，Vol. 60, Issue: 8, page: 2626-2633, 2013年8月。(DOI:10.1109 / TED.2013.2270566）
83. Shrivastava玛雅Harald Gossner，漏极扩展MOS器件ESD可靠性研究进展，《器件与材料可靠性》，第12卷，第4期，页:615-625,2012年12月。(DOI:10.1109 / TDMR.2012.2220358）(邀请报告)
84. Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳和v·拉姆戈帕尔·拉奥，用于高压高速应用的新型漏极扩展FinFET器件， IEEE电子器件通讯，Vol. 33, Issue: 10, page: 1432-1434, 2012年10月。(DOI:10.1109 / LED.2012.2206791）
85. Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳和克里斯蒂安·拉斯，一种新型ESD应力下扩丝漏极扩展NMOS器件， IEEE电子器件通讯，Vol. 33, Issue: 9, page: 1294-1296, 2012年9月。(DOI:10.1109 / LED.2012.2205553）
86. Shrivastava玛雅、Manish Agrawal、Sunny Mahajan、Harald Gossner、Thomas Schulz、Dinesh Kumar Sharma和V. Ramgopal Rao，“对热传输的物理洞察和FinFET架构的改进电热建模框架”，电子器件学报，Vol. 59, Issue: 5, page: 1353-1363, 2012年5月。(DOI:10.1109 / TED.2012.2188296）
87. Shrivastava玛雅、鲁基特·梅塔、沙尚克·古普塔、M.肖贾伊·巴吉尼、D. K.夏尔马、哈拉尔德·戈斯纳、T.舒尔茨、K.阿尼姆、W.莫尔泽、V.拉姆戈帕尔·拉奥、“使用FinFET技术的片上系统(SoC)开发:挑战，解决方案，过程共同开发和优化指南”，电子器件学报，Vol. 58, Issue: 6, page: 1597-1607, 2011年6月。(DOI:10.1109 / TED.2011.2123100）
88. Ram Asra,玛雅ShrivastavaK. V. R. M. Murali, R. K. Pandey, Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，用于VDD扩展至0.6 V以下的隧道FET，具有与cmos相当的性能， IEEE电子器件学报，第58卷，第7期，页:1855-1863,2011年7月。(DOI:10.1109 / TED.2011.2140322）
89. Rajesh A. Thakker，Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, Dinesh K. Sharma, V. Ramgopal Rao和Mahesh B. Patil，”基于finfet的运算放大器和ota中提高转摆率的新架构，微电子学报，第42卷，第5期，第758-765页，2011年5月。（https://doi.org/10.1016/j.mejo.2011.01.010）
90. Shrivastava玛雅、Ruchil Jain、M. Shojaei Baghini、Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，漏极扩展MOS器件OFF状态退化的解决方案， IEEE电子器件汇刊，第57卷，第12期，页:3536-3539,2010年12月。(DOI:10.1109 / TED.2010.2082549）
91. Amitabh Chatterjee,Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，萨米尔·潘达卡尔，福雷斯特·布鲁尔，查瓦卡·杜武里，纳米级漏极扩展NMOS器件ESD行为研究——第一部分:寄生双极的开启行为， IEEE电子器件汇刊，第58卷第2期页:309 - 317,2011年2月。(DOI:10.1109 / TED.2010.2093010）
92. Amitabh Chatterjee,Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，萨米尔·潘达卡尔，福雷斯特·布鲁尔，查瓦卡·杜武里，纳米级漏极扩展NMOS (DeNMOS)器件ESD行为的洞察:第二部分(二维研究-偏置与NMOS的比较)， IEEE电子器件学报，第58卷，第2期，第318 - 326页，2011年2月。(DOI:10.1109 / TED.2010.2093011）
93. Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼，V.拉姆戈帕尔·拉奥，第一部分:关于sti型DeNMOS器件在ESD条件下的行为， IEEE电子器件汇刊，第57卷第9期页面：2235 - 2242, 2010年9月．(DOI:10.1109 / TED.2010.2055276）
94. Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼，V.拉姆戈帕尔·拉奥，第二部分:STI型DeNMOS器件在不同ESD条件下的三维成丝及失效建模， IEEE电子器件汇刊，第57卷第9期页数:2243 - 2250,2010年9月。(DOI:10.1109 / TED.2010.2055278）
95. Shrivastava玛雅， M. Shojaei, D. K. Sharma, V. Ramgopal Rao，“一种新型底部间隔FinFET结构，用于提高功率延迟和短信道性能”， IEEE电子器件汇刊，第57卷，第6期，页数:1287-1994,2010年6月。(DOI:10.1109 / TED.2010.2045686）
96. Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, Harald Gossner, V. Ramgopal Rao，第一部分-各种高压漏极扩展MOS器件的混合信号性能IEEE电子器件汇刊，第57卷，第2期，页:448-457,2010年2月。(DOI:10.1109 / TED.2009.2036796）
97. Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, Harald Gossner, V. Ramgopal Rao，第二部分:优化漏极扩展MOS器件混合信号性能和热载流子可靠性的新方案IEEE电子器件汇刊，第57卷，第2期，页:458-465,2010年2月。(DOI:10.1109 / TED.2009.2036799）
98. Shrivastava玛雅、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、a·萨奇德、迪尼希·库马尔·沙玛、V.拉姆戈帕尔·拉奥、利用IDDG FinFET实现共模反馈的一种新颖且稳健的方法， IEEE电子器件汇刊，第55卷，第11期，页数:3274-3282,2008年11月。(DOI:10.1109 / TED.2008.2004475）.

同行评审的IEEE国际会议论文集(在IEEE Xplore上可用)

99. Monishmurali M, Nagothu Karmel Kranthi, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，“薄氧化物栅极对ESD应力下HV-PNP通阻的影响”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特利
100. Mehak Ashraf Mir, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri, Mohammad Ateeb Munshi, Rasik Rashid Malik和Shrivastava玛雅，“表面和缓冲陷阱在确定漏极电流注入诱导的AlGaN/GaN HEMTs off状态下的器件不稳定性中的动态相互作用”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会上，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特雷
101. Rajarshi Roy chauhuri, Vipin Joshi, A. Gupta, T. Joshi, R. R. Malik, M. A. Mir, S. D. Gupta和Shrivastava玛雅，“在c掺杂GaN缓冲液上的GaN HEMTs中热电子分布的独特晶格温度依赖演化及其可靠性后果”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特利
102. Utpreksh Patbhaje, Rupali Verma, Jeevesh Kumar, Ansh和Shrivastava玛雅，“揭示MoSe2 fet中由通道动力学控制的场驱动性能不可靠性”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会上，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特雷
103. Aakanksha Mishra, B. Sampath Kumar, Monishmurali M, Shaik Ahamed Suzaad, Shubham Kumar, Kiran Pote Sanjay, Amit Kumar Singh, Ankur Gupta和Shrivastava玛雅，“极大击穿到回接电压Offser (Vt1>>VBD):提高LDMOS器件ESD弹性的另一种方法”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26日至30日-加利福尼亚州蒙特利
104. Jatin, Monishmurali M和Shrivastava玛雅，“多指开启:漏极扩展HV纳米片器件过早失效的潜在原因”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特雷
105. Harsha B Variar, Satendra Kumar Gautam, Ashita Kumar, Amogh K M, Juan Luo, Ning Shi, David Marreiro, Shekar Mallikarjunaswamy和Shrivastava玛雅，“使用scr二极管系列ESD保护概念的工程定制TLP特性”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集中，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特雷
106. Satendra Kumar Gautam, Harsha B Variar, Juan Luo, Ning Shi, David Marreiro, Shekar Mallikarjunaswamy，Shrivastava玛雅，“工程直流和TLP的SCR保持电压的3D方法”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26日至30日-加利福尼亚州蒙特雷
107. Harsh Raj, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri, Rasik Rashid Malik和Shrivastava玛雅，“基于β-Ga2O3的垂直肖特基势垒二极管的直流和瞬态反向偏置可靠性的物理洞察”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特利
108. Rasik Rashid Malik, Vipin Joshi, Rajarshi R. Chaudhuri, Mehak A. Mir, Zubear Khan, Avinas N Shaji, Madhura Bhattacharya, Anup T. Vitthal和Shrivastava玛雅，“正门过驱动诱导空穴陷阱产生的特征及其对AlGaN/GaN HEMTs中p-GaN门堆叠不稳定性的影响”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26日至30日-加利福尼亚州蒙特雷
109. Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta, Rajarshi Roy Chaudhuri，和Shrivastava玛雅，“常off级联AlGaN/GaN HEMTs击穿行为对载流子通过碳掺杂GaN缓冲传输的独特依赖”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26日至30日-加利福尼亚州蒙特利
110. Rupali Verma, Utpreksh Patbhaje, Anand Kumar Rai, Jeevesh Kumar和Shrivastava玛雅，“单层WS2 FET光电探测器的OFF状态可靠性挑战:对黑暗和光照明状态的影响”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特雷
111. 吉维什·库马尔，赫曼janeyulu Kuruva，还有Shrivastava玛雅，“tmd器件环境可靠性问题的原子级洞察和量子化学”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集中，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特利
112. Anand Kumar Rai和Shrivastava玛雅，“基于MoS2通道的2D晶体管的电路可靠性”，将出现在第61届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，IEEE IRPS 2023, 2023年3月26-30日-加利福尼亚州蒙特利
113. Aakanksha Mishra, Sampath Kumar Boeila, Avinash Kumar Singh, Shubhank Gupta, M. Monish Murali, Amit Kumar Singh, Ankur Gupta和Shrivastava玛雅，“带resf - implant的LDMOS器件的倒SOA和瞬态非线性”，发表在第六届IEEE ICEE会议上，12月11日- 14日。
114. Rajat Sinha, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅，“氢化非晶硅基高压TFTs的ESD行为研究”，发表于第六届IEEE ICEE会议论文集，12月11日至14日。
115. Harsha B Variar, Ajay Singh, Ankit Soni和Shrivastava玛雅“利用一种新的器件-电路协同设计方法探索AlN/GaN HEMTs用于太赫兹应用的可行性”，将出现在12月11日至14日的第六届IEEE ICEE会议上。
116. Harsha B Variar, Jhnanesh Somayaji和Shrivastava玛雅，“场镀特高压LDMOS器件ESD行为的物理洞察”，发表在12月11日至14日的第六届IEEE ICEE会议论文集上。
117. Satendra Kumar Gautam, Jatin, M. Monish Murali和Shrivastava玛雅，“ESD保护SCR保持电压工程的物理洞察”，发表在12月11日至14日第六届IEEE ICEE会议论文集上。
118. 吉维什·库马尔和Shrivastava玛雅，“氩气和氮气对石墨烯器件真的是惰性的吗?，发表在80年的会议记录上^thIEEE设备研究会议(DRC)，俄亥俄州哥伦布市，2022年6月26日至29日
119. Rajat Sinha, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅，“关于a- Si: H基二极管连接薄膜晶体管的ESD行为”，发表在第六届IEEE ICEE会议论文集，12月11日至14日。
120. Harsha B Variar, Kranthi Nagothu, Hemanjaneyulu Kuruva和Shrivastava玛雅，“基于鳍的隧道fet的ESD行为”，发表在第六届IEEE ICEE会议上，12月11日至14日。
121. Harsha B Variar, Jhnanesh Somayaji和Shrivastava玛雅，“超高压LDMOS器件的性能和可靠性协同设计”，发表在12月11日至14日的第六届IEEE ICEE会议论文集上。
122. Monish Murali, Nagothu Karmel Kranthi, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅”,源漏侧对接对LDMOS-SCR器件低电流成丝的影响，第60届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国达拉斯，2022年3月27 -31日。
123. Jatin, M. Monish Murali, Satendra Kumar Gautam和Shrivastava玛雅“垂直堆叠纳米片技术中高压器件的性能和可靠性协同设计”，发表在12月11日至14日的第六届IEEE ICEE会议论文集上。
124. Harsha B Variar, Ajay Singh, Jhnanesh Somayaji和Shrivastava玛雅，“器件-电路协同设计和ESD/HCI可靠性的场镀RF LDMOS器件设计”，将出现在第六届IEEE ICEE, 12月11日至14日。
125. Jeevesh Kumar, Utpreksh Patbhaje和Shrivastava玛雅，“揭示激光曝光和正门偏压下磷烯fet的额外环境退化问题”，将出现在第六届IEEE ICEE会议上，12月11日至14日。
126. Monish Murali和Shrivastava玛雅，用于SoC应用的新型高压漏极扩展FinFET SCR，第59届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)，美国，2021年3月21-25日。DOI:10.1109 / IRPS46558.2021.9405194
127. Monish Murali和Shrivastava玛雅，垂直堆叠纳米片ggN-FET的特殊电流不稳定性与失效机制，第59届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)，美国，2021年3月21-25日。DOI:10.1109 / IRPS46558.2021.9405147
128. Jhnanesh Somayaji B, Monishmurali, Ajay Singh, Kranthi N.K.和Shrivastava玛雅，系统级ESD应力条件下穿孔式TVS二极管闪回驱动故障的三维TCAD研究，第42届EOSESD研讨会论文集，2020年9月，9月13日至9月18日，美国。
129. Nagothu Karmel Kranthi, James Di Sarro, Rajkumar Sankaralingam, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，《汽车应用中高压DeNMOS-SCR系统级IEC ESD故障的洞察》，第42届EOSESD研讨会论文集，2020年9月，9月13日至9月18日，美国
130. Jeevesh Kumar, Ansh, Hemanjaneyulu Kuruva和Shrivastava玛雅，缺陷辅助金属- tmd界面工程:第一原理洞见，第78届设备研究大会(DRC)， 2020年6月21日至24日，美国。DOI:10.1109 / DRC50226.2020.9135158
131. Rajat Sinha, Prasenjit Bhattacharya, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅，a-Si:H薄膜晶体管在ESD应力下的阈值电压漂移，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国达拉斯，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9128355
132. Nagothu Karmel Kranthi, B. Sampath Kumar, Akram Salman, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，解决高压LDMOS-SCR器件中低电流ESD故障和功率可扩展性问题的设计见解，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9129624
133. Nagothu Karmel Kranthi, B. Sampath Kumar, Chirag Garg, Akram Salman, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，如何在高压LDMOS器件中实现移动电流灯丝:自保护概念的物理见解和设计指南，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9128332
134. Monish Murali M, Milova Paul和Shrivastava玛雅，通过n-和p-Tap工程改善鳍基scr的接通均匀性和故障电流密度，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9129356
135. Ansh, Gaurav Sheoran, Jeevesh Kumar和Shrivastava玛雅，“电热应力驱动的CVD单层MoS2通道时间依赖性永久退化和失效的初步洞察”，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9129173
136. Jeevesh Kumar, Asha Yadav, Anant Kumar Singh, Andrew Naclerio, Dmitri Zakharov, Piran Kidambi和Shrivastava玛雅，暴露于大气条件和电应力下的磷晶体管退化的物理洞察，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9129123
137. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri, Anant kr. Singh, Sirsha Guha和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs中动态On电阻行为的根本原因，第58届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国德克萨斯州达拉斯市，2020年4月。DOI:10.1109 / IRPS45951.2020.9128226
138. Aakanksha Mishra, B. Sampath Kumar, Jhnanesh Somayaji，Shrivastava玛雅还有Ankur Gupta，空间电荷调制对叠结- ldmos的影响， IEEE VLSI-TSA，台湾，2020年4月。DOI:10.1109 / VLSI-TSA48913.2020.9203659
139. Rajarshi Roy Chaudhuri, Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs中热电子与碳掺杂GaN缓冲液的相互作用:与横向电场和器件故障的相关性，第32届IEEE功率半导体器件与集成电路国际研讨会论文集，奥地利维也纳，2020年5月17-21日。DOI:10.1109 / ISPSD46842.2020.9170160
140. Jeevesh Kumar, Adil Meersha, Ansh和Shrivastava玛雅，金属-石墨烯和金属-磷界面缺陷辅助接触工程的第一性原理洞察，第24届IEEE SISPAD，意大利，2019年9月。DOI:10.1109 / SISPAD.2019.8870396
141. Nagothu Karmel Kranthi, Akram Salman, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，“用于自保护高电压片上应用的LDMOS-SCR的性能和可靠性协同设计，第31届IEEE国际会议。功率半导体器件与集成电路研讨会，2019年5月19日至23日。DOI:10.1109 / ISPSD.2019.8757641
142. Nagothu Karmel Kranthi, Akram Salman, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，高电压(双向)scr中ESD应力下的电流灯丝动态及其对幂律行为的影响，第57届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)， 2019年3月31日至4月4日，美国加利福尼亚州蒙特雷。DOI:10.1109 / IRPS.2019.8720484
143. Abhishek Mishra, Adil Meersha, N. K. Kranthi, Kruti Trivedi, Harsha B. Variar, Veena Bellamkonda, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“石墨烯通道和互连随时间分解的首次演示和物理洞察”，第57届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)， 2019年3月31日至4月4日，美国加利福尼亚州蒙特雷。DOI:10.1109 / IRPS.2019.8720452
144. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，GaN MISHEMTS中深能级界面陷阱的紫外辅助探测及其在阈值电压和栅极泄漏不稳定性中的作用，第57届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)， 2019年3月31日至4月4日，美国加利福尼亚州蒙特雷。DOI:10.1109 / IRPS.2019.8720595
145. Nagothu Karmel Kranthi, B. Sampath Kumar, Akram Salman, Gianluca Boselli和Shrivastava玛雅，LDMOS-SCR低电流ESD故障的物理洞察及其对电源可扩展性的影响，第57届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)， 2019年3月31日至4月4日，美国加利福尼亚州蒙特雷。DOI:10.1109 / IRPS.2019.8720580
146. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Sayak Dutta Gupta, Swati Shikha, Sandeep Singh, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“快速循环瞬态应力下AlGaN/GaN Epi堆栈的时间依赖性早期击穿和HEMTs SOA边界的偏移”，第64届IEEE国际电子器件会议(IEDM) - 2018, CA，美国，DOI:10.1109 / IEDM.2018.8614690
147. Kuruva Hemanjaneyulu, Mamta Khaneja, Adil Meersha, Harsha B Variar和Shrivastava玛雅，石墨烯fet的综合计算建模方法， 2018年第4届IEEE ICEE。DOI:10.1109 / ICEE44586.2018.8937909
148. B Sampath Kumar, Milova Paul, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，漏极扩展finfet ESD行为的物理洞察，将于2018年9月23日至28日在美国内华达州雷诺市举行的第40届EOSESD研讨会上亮相DOI:10.23919 / EOS / ESD.2018.8509695
149. Bhawani Shankar, Rahul Singh, Rudrarup Sengupta, Heena Khand, Ankit Soni, Sayak D. Gupta, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，阱辅助应力诱导GaN肖特基二极管的ESD可靠性，将于2018年9月23日至28日在美国内华达州雷诺市举行的第40届EOSESD研讨会上亮相DOI:10.23919 / EOS / ESD.2018.8509745
150. Bhawani Shankar, A. Soni, S. D. Gupta和Shrivastava玛雅，极化超级结(PSJ) GaN fet的安全工作区(SOA)可靠性，第56届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)，美国旧金山，2018年3月11日至15日DOI:10.1109 / IRPS.2018.8353595
151. 米洛娃·保罗，b·萨姆帕斯·库马尔，哈拉尔德·高斯纳和Shrivastava玛雅，大块FinFET技术中的接触和结工程以改进ESD/闭锁性能与设计权衡及其对热载流子可靠性的影响，第56届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)，美国旧金山，2018年3月11日至15日DOI:10.1109 / IRPS.2018.8353573
152. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Sayak Dutta Gupta, R. Sengupta, H. Khand, N. Mohan, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，陷阱辅助应力诱导的AlGaN/GaN HEMTs安全工作区域极限研究，第56届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)，美国旧金山，2018年3月11日至15日DOI:10.1109 / IRPS.2018.8353596
153. n·k·克兰提，阿比谢克·米什拉，阿迪勒·米尔沙，哈沙·b·瓦拉尔和Shrivastava玛雅，缺陷辅助的石墨烯fet安全操作区域限制和大电流失效，第56届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)，美国旧金山，2018年3月11日至15日DOI:10.1109 / IRPS.2018.8353571
154. Rajat Sinha, Prasenjit Bhattacharya, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅，a-Si:H基薄膜晶体管的ESD行为:物理见解、设计和技术意义，第56届IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)，美国旧金山，2018年3月11日至15日DOI:10.1109 / IRPS.2018.8353572
155. Sampath Kumar B, Milova Paul, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，用于高压SoC应用的漏极扩展FinFET器件的性能和可靠性研究， 2018年第30届功率半导体器件与集成电路国际研讨会，美国芝加哥，5月13-17日。DOI:10.1109 / ISPSD.2018.8393605
156. Karmel Kranthi Nagothu, Abhishek Mishra, Adil Meersha和Shrivastava玛雅，“关于碳电子学中的ESD可靠性问题:石墨烯和碳纳米管”，第31届VLSI设计国际会议(VLSID)， 2018年1月。DOI:10.1109 / VLSID.2018.117
157. Vipin Joshi, Bhawani Shankar, Shree Prakash Tiwari和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs中表面和缓冲陷阱对雪崩击穿的依赖性，第22届IEEE SISPAD，日本，2017年9月7-9日DOI:10.23919 / SISPAD.2017.8085276
158. B. Sampath Kumar, Milova Paul和Shrivastava玛雅，关于漏极扩展finfet用于高级SoC集成的设计挑战，第22届IEEE SISPAD，日本，2017年9月7-9日DOI:10.23919 / SISPAD.2017.8085296
159. Adil Meersha, Harsha B Variar, Krishna Bharadwaj, Abhishek Mishra, Srinivasan Raghavan, Navakanta Bhat和Shrivastava玛雅，“使用原子轨道重叠工程的低金属(CVD)石墨烯接触电阻”，2016年12月5日- 12月7日，美国旧金山，IEEE国际电子器件会议论文集DOI:10.1109 / IEDM.2016.7838352
160. n·k·克兰提，阿比谢克·米什拉，阿迪勒·米尔沙和Shrivastava玛雅，大面积CVD石墨烯射频晶体管的ESD行为:物理见解和技术意义，第55届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国，2017年4月4日- 4月6日DOI:10.1109 / IRPS.2017.7936298
161. Bhawani Shankar, Ankit Soni, Manikant Singh, Rohith Soman, Hareesh Chandrasekar, Nagaboopathy Mohan, Neha Mohta, Nayana Ramesh, Shreesha Prabhu, Abhay Kulkarni, Digbijoy Nath, R. Muralidharan, K. N. Bhat, Srinivasan Raghavan, Navakant Bhat和玛雅ShrivastavaAlGaN/GaN HEMTs中的陷阱辅助雪崩不稳定性和安全操作区域问题，第55届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，美国，2017年4月4日- 4月6日DOI:10.1109 / IRPS.2017.7936414
162. Milova Paul, B. Sampath Kumar, Christian Russ, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，FinFET SCR:片上ESD保护的设计挑战和新型Fin SCR方法，第39届EOSESD研讨会论文集，2017年9月，9月12日- 9月15日，美国DOI:10.23919 / EOSESD.2017.8073437
163. Bhawani Shankar, Rudrarup Sengupta, Sayak Dutta Gupta, Ankit Soni, Nagaboopathy Mohan, Navakant Bhat, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN肖特基二极管的ESD行为及陷阱辅助失效机制研究，第39届EOSESD研讨会论文集，2017年9月，9月12日- 9月15日，美国DOI:10.23919 / EOSESD.2017.8073423
164. Rajat Sinha, N.K. Kranthi, Sanjiv Sambandan和Shrivastava玛雅”,并五苯沟道有机薄膜晶体管的ESD特性研究，第39届EOSESD研讨会论文集，2017年9月，9月12日- 9月15日，美国DOI:10.23919 / EOSESD.2017.8073426
165. Abhishek Mishra和Shrivastava玛雅，“ESD条件下通过多壁碳纳米管互连的独特电流传导机制”，第38届EOSESD研讨会论文集，美国，阿纳海姆，2016年9月11日至14日DOI:10.1109 / EOSESD.2016.7592528
166. Abhishek Mishra和Shrivastava玛雅”,多壁CNTs的ESD行为及失效机制的新认识，第54届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，帕萨迪纳，美国，2016年4月17 - 19日DOI:10.1109 / IRPS.2016.7574609
167. Bhawani Shankar和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMTs独特的ESD行为和失效模式，第54届IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，帕萨迪纳，美国，2016年4月17 - 19日DOI:10.1109 / IRPS.2016.7574608
168. Milova Paul, Christian Russ, B Sampath Kumar, Harald Gossner和Shrivastava玛雅，“重新审视ggNMOS中当前纤维化的物理学:我们的理解在科学上是完整的吗?”， IEEE VLSI设计会议论文集，2017年1月8日- 11日(获得优秀研究论文奖）DOI:10.1109 / VLSID.2017.32
169. Bhawani Shankar和Shrivastava玛雅，AlGaN/GaN HEMT在Si上的ESD行为:物理洞察，设计方面，累积退化和失效分析， IEEE VLSI设计会议论文集，2017年1月8日- 11日DOI:10.1109 / VLSID.2017.57
170. Adil Meersha, Sathyajit B和Shrivastava玛雅，MoS2场效应晶体管迟滞行为和可靠性的系统研究， IEEE VLSI设计会议论文集，2017年1月8日- 11日DOI:10.1109 / VLSID.2017.67
171. Peeyusha S. Swain，Shrivastava玛雅， Maryam Shojaei Baghini, Harald Gossner和V. Ramgopal Rao，先进DeMOS晶体管中限制准饱和效应的高性能电平移位器器件-电路协同设计， IEEE INEC, 2016年5月9 - 11日，中国DOI:10.1109 / INEC.2016.7589264
172. Ankur古普塔Shrivastava玛雅、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、迪尼希·库马尔·夏尔马、a·n·钱多尔卡尔、哈拉尔德·戈斯纳和v·拉姆戈帕尔·拉奥，基于28nm CMOS技术的全集成射频功率放大器， 2016年1月，IEEE VLSI设计会议论文集DOI:10.1109 / VLSID.2016.30
173. Ketankumar裁缝,Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，玛丽亚姆·巴吉尼，拉姆戈帕尔·拉奥，槽栅排水扩展NMOS的击穿物理研究， IEEE电子器件与固态电路会议论文集，2015年6月，新加坡。DOI:10.1109 / EDSSC.2015.7285240
174. Ketankumar裁缝,Shrivastava玛雅，哈拉尔德·戈斯纳，玛丽亚姆·巴吉尼，拉姆戈帕尔·拉奥，不同漏极结构的DeNMOS器件击穿特性比较， IEEE电子器件与固态电路会议论文集，2015年6月，新加坡。DOI:10.1109 / EDSSC.2015.7285222
175. Ankur古普塔Shrivastava玛雅、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、迪尼希·库马尔·夏尔马、a·n·钱多尔卡尔、哈拉尔德·戈斯纳和v·拉姆戈帕尔·拉奥，28nm CMOS中集成射频PA的漏极扩展MOS器件设计，具有出色的FoM和ESD鲁棒性， 2014年12月IEEE国际电子器件会议论文集，旧金山，CA, USA。DOI:10.1109 / IEDM.2014.7046974
176. Shrivastava玛雅Harald Gossner，金属碳纳米管的ESD行为，第36届EOSESD研讨会论文集，2014年9月7日至12日，美国亚利桑那州图森。INSPEC注册编号:14789864
177. Shrivastava玛雅，克里斯蒂安·拉斯，哈拉尔德·戈斯纳，S.比奇钦，D.波加尼和E.戈尼克，先进CMOS技术中的ESD稳健演示器件， EOSESD研讨会论文集，2011年9月11 - 15日，美国加州阿纳海姆。NSPEC加入编号:12316388
178. Junjun Li, Rahul Mishra，Shrivastava玛雅，杨洋，罗伯特·戈捷，克里斯蒂安·拉斯，”先进纳米节点块体CMOS技术中类似ESD条件下硅化物阻塞PMOSFET器件的技术尺度效应， EOSESD研讨会论文集，2011年9月11-15日，美国加州阿纳海姆INSPEC注册编号:12316385.
179. Shrivastava玛雅、马尼什·阿格拉瓦尔、贾斯敏·阿格哈西、哈拉尔德·戈斯纳、沃尔夫冈·莫泽、托马斯·舒尔茨、V.拉姆戈帕尔·拉奥、关于纳米级器件的热失效:对热传输的洞察和稳健热管理和EOS/ESD可靠性的设计指南， IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)， 2011年4月10-14日，美国蒙特利。DOI:10.1109 / IRPS.2011.5784498
180. Shrivastava玛雅、哈拉尔德·戈斯纳、玛丽亚姆·Shojaei Baghini和V. Ramgopal Rao，ESD应力条件下各种漏极扩展MOS器件的瞬态行为研究，第七届国际SoC设计会议论文集(ISOCC 2010)， 2010年11月22-23日，Songdo convsia，仁川，韩国(邀请)DOI:10.1109 / SOCDC.2010.5682922
181. Shrivastava玛雅、哈拉尔德·戈斯纳、玛丽亚姆·Shojaei Baghini和V. Ramgopal Rao，基于三维TCAD的纳米器件ESD失效评估方法，第七届国际SoC设计会议论文集(ISOCC 2010)， 2010年11月22-23日，Songdo convsia，仁川，韩国(邀请)DOI:10.1109 / SOCDC.2010.5682919
182. Shrivastava玛雅、延斯·施耐德、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、哈拉尔德·戈斯纳、V.拉姆戈帕尔·拉奥、《关于ESD条件下revef型DeNMOS器件的失效机制和电流不稳定性》IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)， 2010年5月2日- 6日，美国加州阿纳海姆。DOI:10.1109 / IRPS.2010.5488723
183. Shrivastava玛雅， S. Bychikhin, D. Pogany, Jens Schneider, M. Shojaei Baghini, Harald Gossner, Erich Gornik, V. Ramgopal Rao，《ESD条件下n & p型漏极扩展MOS器件3D成丝与失效的差异》， IEEE国际可靠性物理研讨会论文集，2010年5月2日- 6日，美国加州阿纳海姆。DOI:10.1109 / IRPS.2010.5488785
184. Shrivastava玛雅、巴斯卡尔·维尔马、M. Shojaei Baghini、Christian Russ、Dinesh K. Sharma、Harald Gossner、V. Ramgopal Rao、使用SoC框架对22纳米以下节点技术的设备性能进行基准测试， IEEE国际电子器件会议论文集，2009年12月7 -9日，美国巴尔的摩。DOI:10.1109 / IEDM.2009.5424311
185. Shrivastava玛雅， S. Bychikhin, D. Pogany, Jens Schneider, M. Shojaei Baghini, Harald Gossner, Erich Gornik, V. Ramgopal Rao，基于瞬态干涉映射的STI型漏极扩展NMOS器件长丝研究， IEEE国际电子器件会议论文集，2009年12月7 -9日，美国巴尔的摩。DOI:10.1109 / IEDM.2009.5424337
186. Shrivastava玛雅， Jens Schneider, Ruchil Jain, Maryam Shojaei Baghini, Harald Gossner, V. Ramgopal Rao，IGBT插入SCR器件用于先进CMOS技术的ESD保护， EOS/ESD研讨会论文集，2009年8月30日- 9月4日，美国，阿纳海姆。INSPEC注册编号:10980103
187. Shrivastava玛雅、延斯·施耐德、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、哈拉尔德·戈斯纳、V.拉姆戈帕尔·拉奥、高阻体STI: n-DEMOS:一种优化的DEMOS器件，可实现稳健ESD保护的移动电流细丝， IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)， 2009年4月26 - 30日，加拿大魁北克省蒙特利尔。DOI:10.1109 / IRPS.2009.5173344
188. Shrivastava玛雅、延斯·施耐德、玛丽亚姆·肖贾伊·巴吉尼、哈拉尔德·戈斯纳、V.拉姆戈帕尔·拉奥、ESD条件下STI型DENMOS器件故障的新物理洞察和三维器件建模， IEEE国际可靠性物理研讨会论文集(IRPS)， 2009年4月26 - 30日，加拿大魁北克省蒙特利尔。DOI:10.1109 / IRPS.2009.5173327

其他同行评议国际会议

189. Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta, Rajarshi Roy Chaudhuri，和Shrivastava玛雅，“在常off级联HEMTs中击穿电压的独特c掺杂GaN缓冲传输依赖”，2022年半导体工艺和器件模拟国际会议(SISPAD)， 2022。
190. S. K.高塔姆，贾廷，莫尼什穆拉利，还有Shrivastava玛雅，“用于ESD保护的SCR保持电压工程的物理洞察”，2022年半导体工艺和器件模拟国际会议(SISPAD)， 2022。
191. Jatin, S. K. Gautam, M. Monishmurali，和Shrivastava玛雅，“垂直堆叠纳米片技术中高压器件的性能和可靠性协同设计”，2022年半导体工艺与器件模拟国际会议(SISPAD)， 2022。
192. Utpreksh Patbhaje, Rupali Verma，还有Shrivastava玛雅，“内在MoSe2场效应晶体管通道的独特可靠性关注”，将出现在2022年9月5日至9日，德国慕尼黑的石墨烯周上
193. Jeevesh Kumar, Utpreksh Patbhaje，还有Shrivastava玛雅，“原子层面的研究，以解决用于电子应用的2D材料器件的性能和可靠性瓶颈”，将出现在2022年9月5日至9日，德国慕尼黑的石墨烯周上
194. Rupali Verma, Utpreksh Patbhaje，还有Shrivastava玛雅，“面内电场对单层WS2中激子光致发光猝灭和光电流产生的影响”，发表于2022年石墨烯周，德国慕尼黑，9月5-9日
195. Anand Kumar Rai和Shrivastava玛雅，“等离子体和脉冲应力结合的完美无瑕效应用于提高MoS2 fet的性能”，将出现在2022年9月5日至9日，德国慕尼黑的石墨烯周上
196. Rajarshi Roy Chaudhuri, Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta，还有Shrivastava玛雅，“与c掺杂GaN缓冲液的热电子相互作用和AlGaN/GaN HEMTs的合成门泄漏降解”，GaN马拉松2022，威尼斯，意大利，6月20-22日，2022
197. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri，还有Shrivastava玛雅，“基于物理的方法在AlGaN/GaN HEMTs中减少动态RON与c掺杂缓冲，”GaN马拉松2022，威尼斯，意大利，6月20-22日，2022
198. Shrivastava玛雅，“基于p型AlTiO的门堆栈工程的可靠增强模式AlGaN/GaN HEMTs，”2022年GaN马拉松，意大利威尼斯，2022年6月20-22日
199. Rajarshi Roy Chaudhuri, Vipin Joshi, Sayak Dutta Gupta和Mayank Shrivastava，“AlGaN/GaN HEMTs中c掺杂GaN缓冲液中热电子与陷阱相互作用的实验观察:研究横向电场的作用”，2020年GaN马拉松，意大利帕多瓦，2020年4月
200. Sayak Dutta Gupta, Vipin Joshi, Rajarshi Roy Chaudhuri和Mayank Shrivastava，“含碳掺杂缓冲液的AlGaN/GaN HEMTs中动态RON的物理洞察”，2020年GaN马拉松，意大利帕多瓦，2020年4月
201. Gaurav Sheoran, Jeevesh Kumar, Ansh, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“在所有tmd和CVD单分子层MoS2场效应晶体管(fet)中实现增强双极行为的通用方法”，石墨烯2019，意大利罗马，2019年6月。
202. Ansh, Jeevesh Kumar, Ravi K Mishra, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“charalcogen辅助接触工程:面向CMOS电路集成的WSe2 fet”，石墨烯2019，意大利罗马，2019年6月。
203. Harsha Variar, Jeevesh Kumar, Ansh, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“基于Chalcogen辅助通道和接触工程的过渡金属二卤属化合物(TMDs)场效应晶体管(fet)的整体性能改进”，石墨烯2019，意大利罗马，2019年6月。
204. Jeevesh Kumar, Ansh, Adil Meersha和Shrivastava玛雅，“深入了解金属-石墨烯和金属-磷界面的缺陷工程”，石墨烯2019，意大利罗马，2019年6月。
205. Hemanjaneyulu Kuruva, Jeevesh Kumar和Shrivastava玛雅，“通过碘化钾掺杂提高MoS2基fet的效率”，石墨烯2019，意大利罗马，2019年6月。
206. Ansh, Jeevesh Kumar, Gaurav Sheoran, Ravi K Mishra, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“Chalcogen辅助接触工程:一种实现跨CVD TMD单层金属界面增强孔注入的通用方法”，将出现在2019年9月芬兰石墨烯周上。
207. Ansh, Jeevesh Kumar, Ravi K Mishra, Srinivasan Raghavan和Shrivastava玛雅，“Chalcogen辅助接触工程在WSe2-金属接口上领导了独特的MIGS和DIGS，使WSe2晶体管的CMOS电路集成”，出现在2019年9月芬兰的2019年石墨烯周上。
208. Jeevesh Kumar, Ansh, Adil Meersha和Shrivastava玛雅，“金属-石墨烯和金属-磷界面缺陷工程的第一性原理洞察”，将出现在2019年9月芬兰的2019年石墨烯周上。
209. Jeevesh Kumar, Ansh和Shrivastava玛雅，“石墨烯中缺陷辅助带隙产生的第一性原理洞察”，将于2019年9月在芬兰石墨烯周上发表。
210. Abhishek Mishra, Adil Meersha, V Bellamkonda, G Sheoran, A Rao, Srinivasan Raghavan，Shrivastava玛雅《基于石墨烯晶体管的电热传输时间演化研究及其对器件可靠性的影响》，2019年9月，芬兰，2019年石墨烯周。
211. B. Shankar, A. Soni, S. Dutta Gupta, R. Sengupta, H. Khand, N. Mohan, S. Raghavan, N. Bhat和Shrivastava玛雅，“GaN功率HEMT技术的设计与可靠性”，AiMES 2018会议(2018年9月30日- 10月4日)(特邀)http://ma.ecsdl.org/content/MA2018-02/16/713.short
212. 玛雅ShrivastavaChristian Russ, Harald Gossner”,“漏极扩展NMOS器件中ESD植入和灯丝扩散的影响”，国际ESD研讨会，2011年5月，太浩湖，美国。
213. A. B.萨奇德，Shrivastava玛雅， R. A. Thakkar, M. Shojaei Baghini, D. K. Sharma, M. B. Patil, V. Ramgopal Rao，“亚45nm CMOS技术的技术感知设计(TAD)”，2008英特尔亚洲学术论坛，2008年10月20日- 10月22日，台北，台湾。（获得最佳研究论文奖）.
214. Shrivastava玛雅，“基于可靠性的45nm节点CMOS技术I/O设计”，清华大学学报(自然科学版)，2009年12月15 -19日(邀请)．