出版物

书

1. 化合物半导体及其纳米结构的爱因斯坦关系,陷入Ghatak, S. Bhattacharya, D. De，施普林格2008,ISBN 978-3-540-79556-8
2. 混合CMOS单电子晶体管器件及电路设计， Santanu Mahapatra和Adrian M.Ionescu, Artech House出版物ISBN 1-59693-069- 1,2006

期刊

1. Sirsha Guha, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“簇聚- p1硼芴的发现及其作为最轻高性能晶体管的应用”。ACS应用材料与界面，2023.PDF
2. Sanchali Mitra和Santanu Mahapatra，“石墨烯插入二维半导体-金属界面的Schottky-Mott极限”，应用物理杂志， Vol. 132, pp. 145301, 2022。PDF
3. Arnab Kabiraj, Tripti Jain和Santanu Mahapatra，“大规模蒙特卡罗模拟引导的二维居里温度的可解释学习”，模式，细胞出版社，Vol. 3, pp. 100625, 2022。PDF
4. Sanchali Mitra和Santanu Mahapatra，“石墨烯插入二维半导体-金属界面的Schottky-Mott极限”，应用物理杂志， Vol. 132, pp. 145301, 2022。PDF
5. Sirsha Guha, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“具有低阻接触的功能工程MXene晶体管的高通量设计”。npj计算材料，《自然投资组合杂志》第8卷，第202页，2022年。PDF
6. Shreeja Das, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“半金属Cr2C二维隧道结的室温巨磁电阻”，纳米级, 2022年。PDF
7. Vaishnavi Vishnubhotla, Arnab Kabiraj, Aninda J Bhattacharyya，和Santanu Mahapatra，“钠和镁吸附多态硼酚的全球最小值搜索”，物理化学杂志C, 2022年。PDF
8. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“用于储能设备的二维电极材料的高通量评估”，细胞报告物理科学， Vol. 3, pp. 100718, 2022。PDF
9. Sanchali Mitra, Om Kesharwani，和Santanu Mahapatra，“通过石墨烯插入单层碲-金属界面的欧姆到肖特基转换”，发表于物理化学杂志C, 2021年。PDF
10. Sanchali Mitra, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“单层二硫化钼无源电极的非挥发性电阻开关理论”，npj2d材料与应用，自然投资组合杂志，2021年。[第一作者和第二作者贡献相同]。PDF
11. Arnab Kabiraj, Aninda J Bhattacharyya和Santanu Mahapatra，“单元素2D材料中多态驱动锂离子存储的热力学见解”，的物理化学通讯杂志，第12卷，第1220页，2021。PDF
12. Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“二维晶体管高频工作的第一原理预测模型”，应用物理杂志，Vol 128 pp. 234502, 2020．PDF
13. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“机器-智能驱动的二维电荷密度波相位高通量预测”，的物理化学通讯杂志，第11卷，第6291-6298页，2020。PDF
14. Biswapriyo Das, Diptiman Sen和Santanu Mahapatra，“密闭1T’过渡金属二卤属化合物中的可调谐量子自旋霍尔态”，科学报告《自然投资组合杂志》，2020年。PDF
15. Arnab Kabiraj, Mayank Kumar和Santanu Mahapatra，“高居里点二维铁磁材料的高通量发现”，npj计算材料《自然投资组合杂志》，2020年。PDF
16. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“插层驱动的二维磁可逆开关”物理化学杂志C．PDF
17. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Marc Bescond和Santanu Mahapatra，“光子场效应晶体管中的声子限制各向异性量子输运”应用物理杂志2019年第126卷。编辑器的选择．PDF
18. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“高通量第一性原理-基于单层二硫化铼锂离子存储估计的计算”化学通讯，《自然投资组合杂志》，2018。PDF．纸张背后．自然系列:2019年诺贝尔化学奖
19. Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“全2d金属绝缘体半导体场效应晶体管的原子到电路建模方法”npj2d材料与应用，《自然投资组合杂志》，2018年。PDF
20. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“iv组单硫系隧道场效应管的可扩展性评估”科学报告,自然投资组合杂志，2018。PDF
21. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量通道通用双门MOSFET的紧凑模型”，IEEE电子器件汇刊2018年，中国农业科学，Vol. 65 No.3, pp. 888-894。PDF
22. Madhuchhanda Brahma, Marc Bescond, Demetrio Logoteta, Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“用于亚十卡纳米高性能技术节点的德国烷MOSFET”IEEE电子器件汇刊《中华人民共和国学报》Vol. 65, No.3, pp. 1198-1204, 2018。PDF
23. Arup Paul, Manabendra Kuiri, Dipankar Saha, Biswanath Chakraborty, Santanu Mahapatra, A.K. Sood和Anindya Das，“MoTe2-MoS2垂直异质结构的光可调谐转移特性”npj2d材料与应用，《自然投资组合杂志》，2017。PDF
24. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“1T’单层MoS2及其金属界面的各向异性输运”物理化学化学物理《中国日报》，2017年第19卷，第10453页。PDF
25. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“金属-半导体-金属异相MoS2的不对称连接”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第5期，页2457-2460。PDF
26. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量沟道普通双栅MOSFET的表面电位方程”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第4期，页1519-1527PDF
27. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra“单分子MoS2中金属-半导体相边界的原子建模”应用物理通讯，第108卷，第253106页，2016年。PDF
28. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“带线缺陷的单层MoS2电热输运性质的理论洞察”应用物理杂志，卷119，页134304,2016。PDF
29. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“基于氯掺杂ws2 -金属界面的密度泛函理论研究”，应用物理通讯，2016年第108卷，103107期。PDF
30. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“单层MoS2晶格热导率和热容的分析洞察”自然史E,Vol. 83, pp. 455-460, 2016。PDF
31. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“零肖特基势垒高度在石墨烯插入mos2 -金属界面的前景，”应用物理杂志，卷119，页014303,2016。PDF
32. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅极氧化物厚度不对称的普通双栅极MOSFET的紧凑噪声建模”IET电路，设备和系统，2016年第10卷第1期，62-67页。PDF
33. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“铌掺杂单分子mos2 -金接触的理论洞察”IEEE电子器件汇刊，第10卷第1期，62-67页，2015年。PDF
34. Amretashis Sengupta,Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“单层MoS2和WSe2 n-MOSFET的声子散射限制性能”，每年的进步,Vol.5, pp.027101, 2015。PDF
35. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“金属接触到单层黑磷的第一性原理研究”应用物理杂志，vol .11, pp. 204302 (1-9)， 2014PDF
36. Amretashis Sengupta, Dipankar Saha, Thomas A. Niehaus和Santanu Mahapatra，“线缺陷对单层MoS2片电传输特性的影响”，IEEE纳米技术汇刊，2015年第14卷第1期，第51-56页。PDF
37. Sitangshu Bhattacharya, Dipankar Saha, Aveek Bid和Santanu Mahapatra，“从近内向远外区域的单层石墨烯连续导电模型”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第11期，第3646 -3653页，2014。PDF
38. Dipankar Saha, Amretashis Sengupta, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“石-威尔士和晶格空位缺陷对金属ZGNR自由结构电热输运的影响”，计算电子学杂志(施普林格)卷13，第4期，862-871页，2014。
39. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“一种适用于栅极氧化物厚度不对称的短通道普通双栅极MOSFET模型”，电子器件学报2014，第61卷第8期，页2732-2737,2014。PDF
40. Ram Krishna Ghosh, Madhuchhanda Brahma和Santanu Mahapatra，“Germanane:一种用于未来fet的“低有效质量”-“高带隙”二维通道材料”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第7期，pp 2309-2315, 2014。PDF
41. Anuja Chanana, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“氮化硼嵌入扶手椅石墨烯纳米带MOSFET的性能分析”，应用物理杂志，Vol. 115, pp. 034501 2014。PDF
42. Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属双卤属化物通道隧道晶体管”，IEEE电子器件学会杂志，Vol.1 No.10, pp.175-180 2013。PDF
43. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“基于连续性方程的独立双栅MOSFET非准静态电荷模型”计算电子学杂志(施普林格)2014年，第13卷，第2期，pp 353-359。PDF
44. Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“MoS2扶手椅纳米带MOSFET中缺陷和变形的负微分电阻和影响”，应用物理杂志，Vol.114, pp.194513 2013。PDF
45. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“汤姆逊效应下石墨烯薄片随时间焦耳热方程的解”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 10, pp. 3548-3554, 2013。PDF
46. Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 9, pp. 2782 - 2787, 2013。PDF
47. Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的建议”，IEEE纳米技术汇刊，Vol.12 No.5, pp. 665-667, 2013。PDF
48. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“单层石墨烯薄片中依赖温度和场的电子迁移率的建模”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 8, pp. 2695-2698, 2013。PDF
49. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的普通双栅mosfet的非准静态电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60, pp. 2419-2422, 2013。PDF
50. Amrethashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“过渡金属二卤族化物(MX2)纳米管环绕栅弹道场效应晶体管的性能限制”，应用物理杂志，Vol. 113, pp. 194502, 2013。PDF
51. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“用于能量收集的单层石墨烯片的热电性能”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.6, pp. 2064-2070, 2013。PDF
52. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra, k。基于p的[100]和[110]松弛应变硅纳米线的闭形式能带隙和输运电子有效质量模型，固态电子学，Vol. 80, pp. 124-134, 2013。PDF
53. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的单层石墨烯弯曲声子依赖热导率模型”，IOP半导体科学与技术，Vol. 28, pp. 015009(1-6)， 2013。PDF
54. Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧穿”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1, pp. 274-279, 2013。PDF
55. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的自热效应下石墨烯电阻的解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1, pp. 502-505, 2013。PDF
56. Aby Abraham, Pankaj Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双门MOSFET的双极泊松解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1 pp. 498-501, 2013。PDF
57. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“适用于栅极-氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅极MOSFET紧凑模型中的体掺杂”，IET电子通讯，第48卷，第13期，第794页，2012。PDF
58. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“考虑自热效应的金属碳纳米管电迁移的理论估计”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 9, pp. 2476-2482, 2012。PDF
59. Srivatsava Jandhyala, Aby Abraham, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET紧凑电荷建模的分段线性化技术”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第7期，1974-1979页，2012年。PDF
60. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的放松和应变[100]硅纳米线带隙模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 6, pp. 1765-1772, 2012。PDF
61. Srivatsava Jandhyala, Rutwick Kashyap, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的对称双栅mosfet的简单电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1002-1007页，2012年。PDF
62. Aby Abraham, Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算效率的改进”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1199-1202页，2012。PDF
63. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“双层石墨烯纳米带中的量子电容”，自然史E,第44卷，第7-8期，第1127-1131页，2012。
64. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“金属单壁碳纳米管互连焦耳加热方程的解析解”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第11期，3991-3996页。PDF
65. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算的高效鲁棒算法”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 58 No. 6, pp. 1663-1671, 2011。PDF
66. Sitangshu Bhattacharya, Amalraj Rex和Santanu Mahapatra“基于物理的金属单壁碳纳米管互连热导率模型”，IEEE电子设备通讯，2011年第32卷第2期，203-205页。PDF
67. Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET的大信号模型”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第1期，第46-52页。PDF
68. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“三栅MOSFET量子阈值电压的分析建模”，固态电子学，Vol. 54, 1586-1591, 2010。PDF
69. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的统一大小信号非准静态模型”，固态电子学，Vol. 54, pp. 1421-1429, 2010。PDF
70. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高度不对称弹道双层石墨烯纳米带的负微分电导和有效电子质量”物理字母A，Vol. 374, pp. 2850-2855, 2010。PDF
71. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“半导体碳纳米管载流子后向散射的简化理论:凯恩模型方法”，应用物理杂志，第107卷，第9期，页094314,2010。同样发表在Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology，2010年第10期，第21卷。
72. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，IET电路设备系统，第4卷第5期，第449-457页，2010年。
73. Sivakumar Bondada, Soumyendu Raha和Santanu Mahapatra，一种计算互连延迟变异性的高效约简算法，用于时钟树规划的统计时序分析，工程科学学术论文集卷35，第4部分，407-418页，2010。PDF
74. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高不对称双层石墨烯纳米带中低场扩散输运的分析研究”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第3期，409-416页，2010年。PDF
75. Avinash Sahoo, Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极晶体管的高效广义泊松解”，IEEE电子器件汇刊，第57卷，没有。3, pp. 632-636, 2010。PDF
76. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“短通道四栅硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第1期，第121-128页，2010年。PDF
77. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化效应对电流偏置SET电路性能的影响”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第8期，第1562-1566页，2009。PDF
78. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“单电子晶体管电路的能量量子化效应分析”，IEEE纳米技术汇刊，第9卷第1期，页38-45,2010。PDF
79. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化对单电子逆变器性能影响的建模和分析”，物理E:低维系统与纳米结构，第41卷，第8期，第1410-1416页，2009。PDF
80. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“强反演下带非抛物线性对III-V量子线场效应晶体管少数弹道特性的影响”，计算与理论纳米科学杂志，第6卷第7期，页1605-1616,2009。PDF
81. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“对称双栅晶体管的通道电位和亚阈值斜率的建模”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第2期，260-266页，2009年。PDF
82. Ratul Kumar Baruah和Santanu Mahapatra，“通过“交叉点”概念来证明未掺杂体晶体管的阈值电压定义”，物理B:凝聚态，404卷，2009年5月1日，第8- 11,1029 -1032页。PDF
83. Sitangshu Bhattacharya, Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“带非抛物线性对III-V及相关材料中delta掺杂MODFED量化门电容的影响”，应用物理杂志，第104卷第7期，页074304-1至074304- 9,2008。PDF
84. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“圆柱形gate -全能纳米线晶体管体势的建模和分析”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第9期，第2409-2416页，2008。PDF
85. Nayan B Patel, Ramesha A和Santanu Mahapatra，“源处应变SiGe层的n型隧道场效应晶体管的驱动电流增强”，微电子学杂志,第39卷，第12期，第1671-1677页，2008年。PDF
86. Chaitanya Sathe, Surya Shankar Dan，和Santanu Mahapatra，“通过噪声裕度建模评估SET逻辑鲁棒性”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第3期，第909-915页，2008年。PDF

专利

1. Santanu Mahapatra和Nayan Patel，源端有应变SiGe层的n型隧道FET器件， 2007年9月申请印度专利。
2. r .维尔马，S.巴塔查里亚和S.玛哈帕特拉，石墨烯热电发电机，申请印度专利，申请号:3625/CHE/2013, 2013年8月。

会议

1. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“n型磷MOSFET中各向异性耗散量子输运的见解”，2019年IEEE超大规模集成电路设计国际会议，印度德里
2. Ananda Sankar Chakraborty, Srivatsava Jandhalya和Santanu Mahapatra，“低有效质量通道通用双栅MOSFET的解析表面电位解”，紧凑造型工作坊，TechConnect简报，卷:4，页:224 - 227,2018
3. Richa Chakravarty, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“相工程mos2 -金顶部接触分析的新非对称原子模型”，2018年IEEE超大规模集成电路设计国际会议，印度浦那
4. Anuja Chanana, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“复合石墨烯-氮化硼扶手椅纳米带的n-MOSFET在弹道极限下的空位缺陷分析”，计算电子学国际研讨会(IWCE) 2015，美国。
5. Chethan Kumar M, Neha Sharan, and Santanu Mahapatra，“indDG:一种适用于栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的新型紧凑模型”， ieee conect 2015[最佳论文奖]，印度班加罗尔。
6. Neha Sharan，和Santanu Mahapatra，“基于弛豫时间近似方法的独立DG MOSFET NQS建模”，紧凑建模研讨会，2014，美国。
7. Dipankar Saha, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“悬浮单层石墨烯的薄片浓度和温度依赖性电阻率的建模”， 2014年IEEE新兴电子学国际会议(ICEE)，印度班加罗尔。
8. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适应栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的小信号非准静态模型”， 2014年IEEE超大规模集成电路设计国际会议，印度。
9. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“碳基互连的电热方面”，2013纳米技术大会暨博览会，2013年5月13-16日，美国华盛顿特区。
10. Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极控制MOS电容器的建模与分析”， 2012纳米技术会议与博览会，2012年6月18-21日，加州圣克拉拉，美国。
11. Rekha Verma和Santanu Mahapatra，“金属单壁碳纳米管互连的电热建模”， MOS-AK/GSA印度2012，微系统设备建模国际研讨会，2012，印度。
12. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的非准静态小信号模型”，2010年超大规模集成电路设计国际会议，印度。
13. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“纳米管和纳米线表现出负电容吗?””,半导体器件物理国际研讨会(IWPSD) 2009，印度。
14. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，半导体器件物理国际研讨会(IWPSD)， 2009，印度。
15. Surya Sankar Dan和Santanu Mahapatra，“利用噪声裕度建模和蒙特卡罗仿真分析能量量化对SET逆变器性能的影响”， 2009年超大规模集成电路设计国际会议，印度。
16. Ratul Baruah和Santanu Mahapatra，“交叉点的概念及其在无配体晶体管阈值电压定义中的应用”， 2009年超大规模集成电路设计国际会议，印度。
17. Santanu Mahapatra, Ramesha A和Nayan Patel，“隧道场效应管:低待机功率应用的纳米级开关”，纳米与微电子国际会议(ICONAME) 2008，普杜切里，印度。
18. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“ω门圆柱纳米线晶体管的一种新的阈值电压模型”， 2008年超大规模集成电路设计国际会议，印度海得拉巴。
19. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“欧米伽门圆柱纳米线晶体管的分析电位模型”，纳米与微电子国际会议2008，普杜切里，印度。
20. Nayan B Patel和Santanu Mahapatra，“利用SiGe源增强隧道场效应晶体管的性能”， 2007年半导体器件物理国际研讨会，印度孟买。
21. Biswajit Ray, Shubhakar，和Santanu Mahapatra，“未来技术节点量子模拟的必要性”， 2007年半导体器件物理国际研讨会，印度孟买。
22. Shubhakar, Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“纳米级系统中最先进设备模拟器的挑战”，超大规模集成电路设计与测试研讨会2007，加尔各答，印度。
23. Shubhakar和Santanu Mahapatra，“材料性能和器件参数对硅纳米线场效应晶体管性能的影响”，ANM-2007，国际会议，IIT孟买，印度。
24. Ashish Pal, Saptarshi Das, Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“基于单电子晶体管集成电路的新型Spice模拟器”，超大规模集成电路设计与测试研讨会2007，加尔各答，印度。
25. Nayan B. Patel和Santanu Mahapatra，“基于低待机功率应用的双栅隧道FET性能仿真研究与分析”，超大规模集成电路设计与测试研讨会2007，加尔各答，印度。
26. Chaitanya Sathe和Santanu Mahapatra，“SET逻辑中噪声裕度的建模与分析”，2007超大规模集成电路设计国际会议，班加罗尔，印度。
27. Nayan B. Patel和Santanu Mahapatra，“隧道场效应管-一种亚阈值摆动小于60 mV/decade的新型设备，适用于未来低待机功率应用”，2007年超大规模集成电路与通信工程全国会议，Kottayam，印度。