赞助项目
- “锂离子存储的二维材料信息学”，由技术任务部能源和水夏令时展期:2019-2022年。
- 基于二维材料的神经形态计算电子突触，由BRICS-STI合作展期:2019-2022年。
- “与TU-Wein合作的印度-奥地利流动补助金”，由DST时间:2018年6月- 2020年5月。
- 基于量子输运方程的下一代紧致模型，由CSIR展期:2018年5月至2021年4月。
- 基于第一性原理的下一代锂离子电池原子薄层状材料的探索，由空间技术小组活动时间:2017年4月至2020年3月。
- 理解异原子层晶体管中的电子和声子输运，由科学技术部(DST)活动时间:2015年12月至2018年12月。
- " (MOS)性能评估"2通过新型器件模拟器开发FET”,由科学技术部(DST)展期:2012年12月至2015年11月。
- 下一代多门MOS晶体管的专业紧凑模型，由拉玛纳奖学金计划下的科学及技术学系时间:2012 - 2015年。
- 应变对硅影响的从头算分析研究,由空间技术小组，时间跨度:2010 - 2013年。
- 非对称双栅极纳米级晶体管的紧凑建模,由IFCPAR(印法先进研究促进中心)与ISEP-Paris联合举办，时间跨度:2010 - 2013年。
- “碳纳米管晶体管及其互连的紧凑建模”，，由印度快速通道计划下的科技部(DST)时间:2009年至2012年。
- 纳米尺度多栅晶体管紧凑建模非线性泊松方程的高效计算解析解，由印度科技部(DST)时间:2009年至2012年。
- “单一电子:迈向混合CMOS-SET电路设计”，由印度科学和工业研究理事会时间:2007年至2010年。
- sub 65nm工艺节点器件可靠性建模与仿真，由IBM印度私人有限公司时间:2007年至2010年。
- 硅纳米线的紧凑建模与仿真,由印度快速通道计划下的科技部(DST)时间:2006年至2009年。