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能源科学

1.Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“高通量第一性原理-基于单层二硫化铼锂离子存储估计的计算”化学通讯，自然出版集团，2018年。

多尺度建模

1.Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Marc Bescond和Santanu Mahapatra，“光子场效应晶体管中的声子限制各向异性量子输运”，应用物理杂志2019年第126卷。编辑的选择。
2.Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“全2d金属绝缘体半导体场效应晶体管的原子到电路建模方法”npj2d材料与应用，自然出版集团，2018。
3.Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“iv组单硫系隧道场效应管的可扩展性评估”科学报告自然出版集团，2018年
4.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属双卤属化物通道隧道晶体管”，IEEE电子器件学会杂志2013.中国科学，Vol.1, No.10, pp.175-180。
5.Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件汇刊,卷。2013年，第9期，第2782 - 2787页。
6.Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的建议”，IEEE纳米技术汇刊《中国科学》，2013年第12卷第5期，第665-667页。
7.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧穿”，IEEE电子器件汇刊,卷。第1期，第274-279页，2013。

原子论的建模
  1. Arup Paul, Manabendra Kuiri, Dipankar Saha, Biswanath Chakraborty, Santanu Mahapatra, A.K. Sood和Anindya Das，“MoTe2-MoS2垂直异质结构中的光可调谐转移特性”，发表于npj2d材料与应用, 2017年。
  2. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“1T’单层MoS2及其金属界面的各向异性输运”物理化学化学物理《中国日报》，2017年第19卷，第10453页。
  3. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“金属-半导体-金属异相MoS2的不对称连接”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第5期，页2457-2460。
  4. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra“单分子MoS2中金属-半导体相边界的原子建模”应用物理通讯，第108卷，第253106页，2016年。
  5. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“基于氯掺杂ws2 -金属界面的密度泛函理论研究”，应用物理通讯，2016年第108卷，103107期。
  6. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“零肖特基势垒高度在石墨烯插入mos2 -金属界面的前景，”应用物理杂志，卷119，页014303,2016。
  7. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“铌掺杂单分子mos2 -金接触的理论洞察”IEEE电子器件汇刊，第10卷第1期，62-67页，2015年。
  8. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“金属接触到单层黑磷的第一性原理研究”应用物理杂志，vol .11, pp. 204302 (1-9)， 2014
  9. Amretashis Sengupta, Dipankar Saha, Thomas A. Niehaus和Santanu Mahapatra，“线缺陷对单层MoS2片电传输特性的影响”，IEEE纳米技术汇刊，2015年第14卷第1期，第51-56页。
  10. Ram Krishna Ghosh, Madhuchhanda Brahma和Santanu Mahapatra，“Germanane:一种用于未来fet的“低有效质量”-“高带隙”二维通道材料”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第7期，pp 2309-2315, 2014。
  11. Anuja Chanana, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“氮化硼嵌入扶手椅石墨烯纳米带MOSFET的性能分析”，# 2ea3f2applied Physics, Vol. 115, pp. 034501 2014。
  12. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra, k。基于p的[100]和[110]松弛应变硅纳米线的闭形式能带隙和输运电子有效质量模型，固态电子学，Vol. 80, pp. 124-134, 2013。
  13. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的放松和应变[100]硅纳米线带隙模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 6, pp. 1765-1772, 2012。

1.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属二元基通道隧道晶体管”，电子器件学会杂志，Vol.1, No.10, pp.175-180 2013。
2.Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件学报，卷。2013年，第9期，第2782 - 2787页。
3.ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的提议”，《电子工程学报》，Vol.12, No.5, pp. 665-667, 2013。
4.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧道”，IEEE电子器件学报，卷。第1期，第274-279页，2013。

设备建模
  1. Madhuchhanda Brahma, Marc Bescond, Demetrio Logoteta, Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“用于亚十卡纳米高性能技术节点的日耳曼MOSFET”出现在IEEE电子器件汇刊2018.
  2. Amretashis Sengupta,Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“单层MoS2和WSe2 n-MOSFET的声子散射限制性能”，每年的进步,Vol.5, pp.027101, 2015。
  3. Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“MoS2扶手椅纳米带MOSFET中缺陷和变形的负微分电阻和影响”，应用物理杂志，Vol.114, pp.194513 2013。
  4. Amrethashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“过渡金属二卤族化物(MX2)纳米管环绕栅弹道场效应晶体管的性能限制”，应用物理杂志，Vol. 113, pp. 194502, 2013。
  5. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“三栅MOSFET量子阈值电压的分析建模”，固态电子学，Vol. 54, 1586-1591, 2010。
  6. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“短通道四栅硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第1期，第121-128页，2010年。
  7. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“对称双栅晶体管的通道电位和亚阈值斜率的建模”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第2期，260-266页，2009年。
  8. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“圆柱形gate -全能纳米线晶体管体势的建模和分析”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第9期，第2409-2416页，2008。
紧凑型建模
  1. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量通道通用双门MOSFET的紧凑模型”，出现在IEEE电子器件汇刊2018.
  2. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量沟道普通双栅MOSFET的表面电位方程”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第4期，页1519-1527
  3. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅极氧化物厚度不对称的普通双栅极MOSFET的紧凑噪声建模”IET电路，设备和系统，2016年第10卷第1期，62-67页。
  4. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“一种适用于栅极氧化物厚度不对称的短通道普通双栅极MOSFET模型”，电子器件学报2014，第61卷第8期，页2732-2737,2014。
  5. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“基于连续性方程的独立双栅MOSFET非准静态电荷模型”计算电子学杂志(施普林格)2014年，第13卷，第2期，pp 353-359。
  6. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的普通双栅mosfet的非准静态电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60, pp. 2419-2422, 2013。
  7. Aby Abraham, Pankaj Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双门MOSFET的双极泊松解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1 pp. 498-501, 2013。
  8. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“适用于栅极-氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅极MOSFET紧凑模型中的体掺杂”，IET电子通讯，第48卷，第13期，第794页，2012。
  9. Srivatsava Jandhyala, Aby Abraham, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET紧凑电荷建模的分段线性化技术”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第7期，1974-1979页，2012年。
  10. Srivatsava Jandhyala, Rutwick Kashyap, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的对称双栅mosfet的简单电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1002-1007页，2012年。
  11. Aby Abraham, Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算效率的改进”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1199-1202页，2012。
  12. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算的高效鲁棒算法”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 58 No. 6, pp. 1663-1671, 2011。
  13. Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET的大信号模型”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第1期，第46-52页。
  14. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的统一大小信号非准静态模型”，固态电子学，Vol. 54, pp. 1421-1429, 2010。
  15. Avinash Sahoo, Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极晶体管的高效广义泊松解”，IEEE电子器件汇刊，第57卷，没有。3, pp. 632-636, 2010。
电热建模
  1. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“带线缺陷的单层MoS2电热输运性质的理论洞察”应用物理杂志，卷119，页134304,2016。
  2. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“单层MoS2晶格热导率和热容的分析洞察”自然史E,Vol. 83, pp. 455-460, 2016。
  3. Sitangshu Bhattacharya, Dipankar Saha, Aveek Bid和Santanu Mahapatra，“从近内向远外区域的单层石墨烯连续导电模型”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第11期，第3646 -3653页，2014。
  4. Dipankar Saha, Amretashis Sengupta, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“石-威尔士和晶格空位缺陷对金属ZGNR自由结构电热输运的影响”，计算电子学杂志(施普林格)卷13，第4期，862-871页，2014。
  5. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“汤姆逊效应下石墨烯薄片随时间焦耳热方程的解”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 10, pp. 3548-3554, 2013。
  6. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“单层石墨烯薄片中依赖温度和场的电子迁移率的建模”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 8, pp. 2695-2698, 2013。
  7. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“用于能量收集的单层石墨烯片的热电性能”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.6, pp. 2064-2070, 2013。
  8. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的单层石墨烯弯曲声子依赖热导率模型”，IOP半导体科学与技术，Vol. 28, pp. 015009(1-6)， 2013。
  9. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的自热效应下石墨烯电阻的解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1, pp. 502-505, 2013。
  10. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“考虑自热效应的金属碳纳米管电迁移的理论估计”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 9, pp. 2476-2482, 2012。
  11. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“双层石墨烯纳米带中的量子电容”，自然史E,第44卷，第7-8期，第1127-1131页，2012。
  12. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“金属单壁碳纳米管互连焦耳加热方程的解析解”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第11期，3991-3996页。
  13. Sitangshu Bhattacharya, Amalraj Rex和Santanu Mahapatra“基于物理的金属单壁碳纳米管互连热导率模型”，IEEE电子设备通讯，2011年第32卷第2期，203-205页。
其他人
  1. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高度不对称弹道双层石墨烯纳米带的负微分电导和有效电子质量”物理字母A，Vol. 374, pp. 2850-2855, 2010。
  2. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“半导体碳纳米管载流子后向散射的简化理论:凯恩模型方法”，应用物理杂志，第107卷，第9期，页094314,2010。同样发表在Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology，2010年第10期，第21卷
  3. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，IET电路设备系统，第4卷第5期，第449-457页，2010年。
  4. Sivakumar Bondada, Soumyendu Raha和Santanu Mahapatra，一种计算互连延迟变异性的高效约简算法，用于时钟树规划的统计时序分析，工程科学学术论文集卷35，第4部分，407-418页，2010。
  5. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高不对称双层石墨烯纳米带中低场扩散输运的分析研究”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第3期，409-416页，2010年。
  6. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化效应对电流偏置SET电路性能的影响”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第8期，第1562-1566页，2009。
  7. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“单电子晶体管电路的能量量子化效应分析”，IEEE纳米技术汇刊，第9卷第1期，页38-45,2010。
  8. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化对单电子逆变器性能影响的建模和分析”，物理E:低维系统与纳米结构，第41卷，第8期，第1410-1416页，2009。
  9. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“强反演下带非抛物线性对III-V量子线场效应晶体管少数弹道特性的影响”，计算与理论纳米科学杂志，第6卷第7期，页1605-1616,2009。
  10. Ratul Kumar Baruah和Santanu Mahapatra，“通过“交叉点”概念来证明未掺杂体晶体管的阈值电压定义”，物理B:凝聚态，404卷，2009年5月1日，第8- 11,1029 -1032页。
  11. Sitangshu Bhattacharya, Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“带非抛物线性对III-V及相关材料中delta掺杂MODFED量化门电容的影响”，应用物理杂志，第104卷第7期，页074304-1至074304- 9,2008。
  12. Nayan B Patel, Ramesha A和Santanu Mahapatra，“源处应变SiGe层的n型隧道场效应晶体管的驱动电流增强”，微电子学杂志,第39卷，第12期，第1671-1677页，2008年。
  13. Chaitanya Sathe, Surya Shankar Dan，和Santanu Mahapatra，“通过噪声裕度建模评估SET逻辑鲁棒性”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第3期，第909-915页，2008年。
能源科学
  1. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“高通量第一性原理-基于单层二硫化铼锂离子存储估计的计算”化学通讯，自然出版集团，2018年。
多尺度建模

1.Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Marc Bescond和Santanu Mahapatra，“光子场效应晶体管中的声子限制各向异性量子输运”，应用物理杂志2019年第126卷。编辑的选择。
2.Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“全2d金属绝缘体半导体场效应晶体管的原子到电路建模方法”npj2d材料与应用，自然出版集团，2018。
3.Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“iv组单硫系隧道场效应管的可扩展性评估”科学报告自然出版集团，2018年
4.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属双卤属化物通道隧道晶体管”，IEEE电子器件学会杂志2013.中国科学，Vol.1, No.10, pp.175-180。
5.Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件汇刊,卷。2013年，第9期，第2782 - 2787页。
6.Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的建议”，IEEE纳米技术汇刊《中国科学》，2013年第12卷第5期，第665-667页。
7.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧穿”，IEEE电子器件汇刊,卷。第1期，第274-279页，2013。

原子论的建模
  1. Arup Paul, Manabendra Kuiri, Dipankar Saha, Biswanath Chakraborty, Santanu Mahapatra, A.K. Sood和Anindya Das，“MoTe2-MoS2垂直异质结构中的光可调谐转移特性”，发表于npj2d材料与应用, 2017年。
  2. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“1T’单层MoS2及其金属界面的各向异性输运”物理化学化学物理《中国日报》，2017年第19卷，第10453页。
  3. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“金属-半导体-金属异相MoS2的不对称连接”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第5期，页2457-2460。
  4. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra“单分子MoS2中金属-半导体相边界的原子建模”应用物理通讯，第108卷，第253106页，2016年。
  5. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“基于氯掺杂ws2 -金属界面的密度泛函理论研究”，应用物理通讯，2016年第108卷，103107期。
  6. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“零肖特基势垒高度在石墨烯插入mos2 -金属界面的前景，”应用物理杂志，卷119，页014303,2016。
  7. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“铌掺杂单分子mos2 -金接触的理论洞察”IEEE电子器件汇刊，第10卷第1期，62-67页，2015年。
  8. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“金属接触到单层黑磷的第一性原理研究”应用物理杂志，vol .11, pp. 204302 (1-9)， 2014
  9. Amretashis Sengupta, Dipankar Saha, Thomas A. Niehaus和Santanu Mahapatra，“线缺陷对单层MoS2片电传输特性的影响”，IEEE纳米技术汇刊，2015年第14卷第1期，第51-56页。
  10. Ram Krishna Ghosh, Madhuchhanda Brahma和Santanu Mahapatra，“Germanane:一种用于未来fet的“低有效质量”-“高带隙”二维通道材料”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第7期，pp 2309-2315, 2014。
  11. Anuja Chanana, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“氮化硼嵌入扶手椅石墨烯纳米带MOSFET的性能分析”，# 2ea3f2applied Physics, Vol. 115, pp. 034501 2014。
  12. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra, k。基于p的[100]和[110]松弛应变硅纳米线的闭形式能带隙和输运电子有效质量模型，固态电子学，Vol. 80, pp. 124-134, 2013。
  13. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的放松和应变[100]硅纳米线带隙模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 6, pp. 1765-1772, 2012。

1.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属二元基通道隧道晶体管”，电子器件学会杂志，Vol.1, No.10, pp.175-180 2013。
2.Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件学报，卷。2013年，第9期，第2782 - 2787页。
3.ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的提议”，《电子工程学报》，Vol.12, No.5, pp. 665-667, 2013。
4.Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧道”，IEEE电子器件学报，卷。第1期，第274-279页，2013。

设备建模
  1. Madhuchhanda Brahma, Marc Bescond, Demetrio Logoteta, Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“用于亚十卡纳米高性能技术节点的日耳曼MOSFET”出现在IEEE电子器件汇刊2018.
  2. Amretashis Sengupta,Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“单层MoS2和WSe2 n-MOSFET的声子散射限制性能”，每年的进步,Vol.5, pp.027101, 2015。
  3. Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“MoS2扶手椅纳米带MOSFET中缺陷和变形的负微分电阻和影响”，应用物理杂志，Vol.114, pp.194513 2013。
  4. Amrethashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“过渡金属二卤族化物(MX2)纳米管环绕栅弹道场效应晶体管的性能限制”，应用物理杂志，Vol. 113, pp. 194502, 2013。
  5. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“三栅MOSFET量子阈值电压的分析建模”，固态电子学，Vol. 54, 1586-1591, 2010。
  6. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“短通道四栅硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第1期，第121-128页，2010年。
  7. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“对称双栅晶体管的通道电位和亚阈值斜率的建模”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第2期，260-266页，2009年。
  8. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“圆柱形gate -全能纳米线晶体管体势的建模和分析”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第9期，第2409-2416页，2008。
紧凑型建模
  1. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量沟道普通双栅MOSFET的表面电位方程”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第4期，页1519-1527
  2. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅极氧化物厚度不对称的普通双栅极MOSFET的紧凑噪声建模”IET电路，设备和系统，2016年第10卷第1期，62-67页。
  3. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“一种适用于栅极氧化物厚度不对称的短通道普通双栅极MOSFET模型”，电子器件学报2014，第61卷第8期，页2732-2737,2014。
  4. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“基于连续性方程的独立双栅MOSFET非准静态电荷模型”计算电子学杂志(施普林格)2014年，第13卷，第2期，pp 353-359。
  5. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的普通双栅mosfet的非准静态电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60, pp. 2419-2422, 2013。
  6. Aby Abraham, Pankaj Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双门MOSFET的双极泊松解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1 pp. 498-501, 2013。
  7. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“适用于栅极-氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅极MOSFET紧凑模型中的体掺杂”，IET电子通讯，第48卷，第13期，第794页，2012。
  8. Srivatsava Jandhyala, Aby Abraham, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET紧凑电荷建模的分段线性化技术”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第7期，1974-1979页，2012年。
  9. Srivatsava Jandhyala, Rutwick Kashyap, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的对称双栅mosfet的简单电荷模型”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1002-1007页，2012年。
  10. Aby Abraham, Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算效率的改进”，IEEE电子器件汇刊，第59卷第4期，第1199-1202页，2012。
  11. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算的高效鲁棒算法”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 58 No. 6, pp. 1663-1671, 2011。
  12. Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET的大信号模型”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第1期，第46-52页。
  13. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的统一大小信号非准静态模型”，固态电子学，Vol. 54, pp. 1421-1429, 2010。
  14. Avinash Sahoo, Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极晶体管的高效广义泊松解”，IEEE电子器件汇刊，第57卷，没有。3, pp. 632-636, 2010。
电热建模
  1. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“带线缺陷的单层MoS2电热输运性质的理论洞察”应用物理杂志，卷119，页134304,2016。
  2. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“单层MoS2晶格热导率和热容的分析洞察”自然史E,Vol. 83, pp. 455-460, 2016。
  3. Sitangshu Bhattacharya, Dipankar Saha, Aveek Bid和Santanu Mahapatra，“从近内向远外区域的单层石墨烯连续导电模型”，IEEE电子器件汇刊，第61卷，第11期，第3646 -3653页，2014。
  4. Dipankar Saha, Amretashis Sengupta, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“石-威尔士和晶格空位缺陷对金属ZGNR自由结构电热输运的影响”，计算电子学杂志(施普林格)卷13，第4期，862-871页，2014。
  5. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“汤姆逊效应下石墨烯薄片随时间焦耳热方程的解”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 10, pp. 3548-3554, 2013。
  6. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“单层石墨烯薄片中依赖温度和场的电子迁移率的建模”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No. 8, pp. 2695-2698, 2013。
  7. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“用于能量收集的单层石墨烯片的热电性能”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.6, pp. 2064-2070, 2013。
  8. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的单层石墨烯弯曲声子依赖热导率模型”，IOP半导体科学与技术，Vol. 28, pp. 015009(1-6)， 2013。
  9. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的自热效应下石墨烯电阻的解决方案”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 60 No.1, pp. 502-505, 2013。
  10. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“考虑自热效应的金属碳纳米管电迁移的理论估计”，IEEE电子器件汇刊，Vol. 59 No. 9, pp. 2476-2482, 2012。
  11. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“双层石墨烯纳米带中的量子电容”，自然史E,第44卷，第7-8期，第1127-1131页，2012。
  12. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“金属单壁碳纳米管互连焦耳加热方程的解析解”，IEEE电子器件汇刊，2011年第58卷第11期，3991-3996页。
  13. Sitangshu Bhattacharya, Amalraj Rex和Santanu Mahapatra“基于物理的金属单壁碳纳米管互连热导率模型”，IEEE电子设备通讯，2011年第32卷第2期，203-205页。
其他人
  1. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高度不对称弹道双层石墨烯纳米带的负微分电导和有效电子质量”物理字母A，Vol. 374, pp. 2850-2855, 2010。
  2. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“半导体碳纳米管载流子后向散射的简化理论:凯恩模型方法”，应用物理杂志，第107卷，第9期，页094314,2010。同样发表在Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology，2010年第10期，第21卷
  3. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，IET电路设备系统，第4卷第5期，第449-457页，2010年。
  4. Sivakumar Bondada, Soumyendu Raha和Santanu Mahapatra，一种计算互连延迟变异性的高效约简算法，用于时钟树规划的统计时序分析，工程科学学术论文集卷35，第4部分，407-418页，2010。
  5. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高不对称双层石墨烯纳米带中低场扩散输运的分析研究”，IEEE纳米技术汇刊，第10卷第3期，409-416页，2010年。
  6. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化效应对电流偏置SET电路性能的影响”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第8期，第1562-1566页，2009。
  7. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“单电子晶体管电路的能量量子化效应分析”，IEEE纳米技术汇刊，第9卷第1期，页38-45,2010。
  8. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化对单电子逆变器性能影响的建模和分析”，物理E:低维系统与纳米结构，第41卷，第8期，第1410-1416页，2009。
  9. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“强反演下带非抛物线性对III-V量子线场效应晶体管少数弹道特性的影响”，计算与理论纳米科学杂志，第6卷第7期，页1605-1616,2009。
  10. Ratul Kumar Baruah和Santanu Mahapatra，“通过“交叉点”概念来证明未掺杂体晶体管的阈值电压定义”，物理B:凝聚态，404卷，2009年5月1日，第8- 11,1029 -1032页。
  11. Sitangshu Bhattacharya, Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“带非抛物线性对III-V及相关材料中delta掺杂MODFED量化门电容的影响”，应用物理杂志，第104卷第7期，页074304-1至074304- 9,2008。
  12. Nayan B Patel, Ramesha A和Santanu Mahapatra，“源处应变SiGe层的n型隧道场效应晶体管的驱动电流增强”，微电子学杂志,第39卷，第12期，第1671-1677页，2008年。
  13. Chaitanya Sathe, Surya Shankar Dan，和Santanu Mahapatra，“通过噪声裕度建模评估SET逻辑鲁棒性”，IEEE电子器件汇刊，第55卷第3期，第909-915页，2008年。
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