新闻及最新消息
2023年1月10日
我们的论文“聚簇- p1硼酮的发现及其作为最轻的高性能晶体管的应用”已发表在ACS应用材料与界面．在这里我们发现了类硅二维硼同素异形体，并用它设计了晶体管。
2022年12月8日
我们的论文“单层六方氮化硼的非挥发性电阻开关的见解”，已发表在应用物理杂志．在这里，我们使用最先进的反应分子动力学模拟和ab-initio量子输运建模，展示了对现象的原子洞察力。
2022年11月15日
我们的论文“大规模蒙特卡罗模拟引导的二维居里温度的可解释学习”，已发表在模式是Cell Press的期刊。本文建立了二维磁体居里温度预测的数据驱动模型。
10月10日
我们的论文“Schottky-Mott极限在石墨烯插入的二维半导体-金属界面”已发表在《应用物理杂志》上。利用基于密度泛函理论的计算，我们展示了石墨烯插入技术如何有效地实现理想的肖特基-莫特规则，适用于广泛的新兴二维半导体-金属界面。
2022年9月22日
我们的论文“具有低阻接触的功能工程MXene晶体管的高通量设计”已发表在自然作品集期刊npj Computational Materials上。我们展示了MXene丰富的化学性质如何用于创建具有本质低电阻接触的无掺杂2D晶体管，同时保持平衡模式操作。
2022年6月23日
我们的论文“基于半金属Cr2C的二维隧道结的室温巨磁电阻”已发表在纳米级．我们设计了基于单层Cr2C的全2d自旋阀，该阀在室温下表现出巨大的磁电阻。
2022年5月12日
我们的论文“钠和镁吸附多态硼酚的全局最小值搜索”已发表在物理化学杂志C．我们使用全局最小搜索技术来估计单层硼中钠和镁离子的实际存储容量。
2021年12月21日
我们的论文“用于储能器件的二维电极材料的高通量评估”已被接受发表在细胞报告物理科学．在这里，我们开发了一个全自动的计算管道，可以从一个非常大的数据库中扫描和发现潜在的电极材料。
2021年5月21日
我们的论文“通过石墨烯插入单层碲-金属界面的欧姆到肖特基转换”已被接受发表在物理化学杂志C．我们展示了石墨烯在单层碲和金属之间的插入如何将正常欧姆接触转换为肖特基接触。
2020年5月18日
我们发表在《科学报告》上的论文“密闭1T’过渡金属二卤属化合物中的可调谐量子自旋霍尔态”，在“物理学百强”。只有4篇论文来自纯正的印度血统。
2021年2月17日
我们的论文“单层二硫化钼无源电极的非挥发性电阻开关理论”已被接受发表在npj2d材料与应用．在这里，结合反应分子动力学模拟和基于第一性原理的计算，我们开发了一种称为“虚拟灯丝”的理论，为二维材料中电阻开关的基本机制提供了新的见解．
2021年1月19日
我们的论文“单元素2D材料中多态驱动锂离子存储的热力学见解”已被接受发表在的物理化学通讯杂志．结合自底向上和自顶向下的结构搜索技术我们基于第一性原理的高通量计算揭示了多态驱动的锂离子结合过程和其他非理想状态(例如，键劈理，吸附剂相变，电镀)，这在早期的工作中没有提及。
2020年12月2日
我们的论文“从第一性原理预测二维晶体管高频工作的模型”已被接受发表在应用物理杂志．我们展示了如何开发基于第一性原理的紧凑器件模型来预测高频通过考虑载流子的惯性来计算二维晶体管的性能。
2020年7月16日
我们的论文“机器智能驱动的二维电荷密度波相位的高通量预测”已被接受发表在的物理化学通讯杂志．在这里我们结合了基于第一性原理的结构搜索技术和无监督机器学习，开发了一个全自动的高通量计算框架，可以从具有遗传Kohn异常的单位细胞中识别CDW阶段．
2020年3月27日,
我们的论文“密闭1T’过渡金属二卤属化合物中的可调谐量子自旋霍尔态”已被《科学报告》接受发表。我们建立了连续介质模型，揭示了过渡金属二卤属化合物有限宽度1T’相边态谱的带隙开放。我们的研究进一步表明，这种带隙可以通过外部电场的应用来调谐，这可以用于设计新型自旋电子器件。
2020年3月3日
我们的论文“高居里点二维铁磁材料的高通量发现”已被npj Computational materials接受发表。在这里，我们结合3M:机器学习，蒙特卡罗和分子动力学来开发材料信息学，为“如何”和“在哪里”找到高居里点2D磁铁提供了重要的指导方针。
2019年12月6日
我们的论文“插层驱动的二维磁性可逆开关”已被ACS物理化学杂志c接受发表。我们使用了几种新的计算技术，如自旋极化结构搜索，ab-initio分子动力学，ab-initio自适应动力学蒙特卡罗等，揭示了天然反铁磁单层FeO2中Li和Mg离子插层的铁磁感应。
2019年10月11日
我们的论文在《自然》研究收藏中找到了位置，以庆祝锂离子电池的诺贝尔奖。https://www.nature.com/collections/faagahedhh
2019年9月20日
我们最近的论文“声子限制各向异性量子输运在磷场效应晶体管”已被选为编辑的选择应用物理杂志．
2019年8月29日
我们的论文“声子限制各向异性量子输运在磷场效应晶体管”已被接受发表在应用物理杂志．我们采用多尺度建模技术揭示了磷芴不同声子分支的电子相互作用及其对传统MOSFET和隧道FET传输特性的影响。
2019年7月2日
我们从技术任务部门Energy & Water DST获得了为期三年的“锂离子存储二维材料信息学”项目资助。
2019年5月2日
Madhuchhanda Brahma成功地捍卫了她的论点。在她的论文中，她开发了多尺度量子输运建模技术来研究二维材料晶体管中的耗散输运。
2019年1月21日
Ananda Sankar Chakraborty成功地捍卫了他的论文。在他的论文中，他介绍了量子漂移扩散形式的紧凑建模超薄体低有效质量通道mosfet。
2018年12月13日
Madhuchhanda Brahma获得自然科学研究早期职业旅行补助金(https://www.nature.com/early-career-travel-grants/)．物理、化学及生物科学各一名。
2018年的10月25日
我们的论文“高通量第一性原理-基于单层二硫化铼锂离子存储估计的计算”已被《自然通讯化学》接受发表。这是我们在能源科学领域的第一次冒险。我们开发了硬件加速器辅助的高通量从头算计算框架来实现“结构搜索”技术。然后利用该框架评估了单层ReS2作为锂离子电池阳极的潜力。
2018年10月15日
我们获得了金砖国家科技创新合作为神经形态计算开发基于二维材料的电子突触。我们将与来自俄罗斯、中国和巴西的科学家合作。
2018年10月12日
Ananda Sankar Chakraborty已经提交了他的博士论文进行评估。他致力于低有效质量通道量子阱MOSFET的紧凑建模。
2018年7月11日
我们的论文"全2D金属绝缘体半导体场效应晶体管的原子到电路建模方法”已被Nature出版集团npj 2D Materials and Applications接受发表。这里我们提议多尺度建模技术仅从组成材料的晶体学信息来预测晶体管的电路性能。这样的基于第一性原理的模型能够在器件和电路层面对新兴材料进行系统的性能评估，并可能有助于通过设计-技术协同优化来减少其工艺集成的成本和时间。
2018年6月8日
我们获得了印度-奥地利流动补助金。它将允许微电子研究所，TU-WIEN和我们的实验室之间的博士生交换。
2018年6月8日
我们获得了CSIR的资助，开发基于量子输运方程的量子模型。
2018年3月29日
我们的论文“iv组单硫化物隧道场效应管的可扩展性评估”已被《自然科学报告》接受发表。在这里，我们采用多尺度建模技术来评估单层GeSe通道隧道场效应晶体管的VDD缩放极限。三种类型的DFT计算，其次是基于两波段kp哈密顿量的量子输运模型，用于估计静态和动态性能指标。
2018年3月22日
新的视频添加到nsdrlTube解释量子传输在次十碳计日耳曼MOSFET。
2018年2月13日
新的视频添加到nsdrlTube，它解释了基于量子漂移扩散的紧凑建模技术。
2018年1月21日
其中一篇论文(物理低维度。系统。Nanostruct。83Nature npj 2D Materials and Applications, 455-460 (2016))https://doi.org/10.1038/s41699-017-0042-2）
2018年1月15日,
我们的三篇论文被Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-017-02631-9）
2018年1月13日
我们的论文“低有效质量通道通用双栅MOSFET的紧凑模型”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。“量子漂移-扩散”形式主义，迄今为止仅限于器件(TCAD)模拟，在这项工作中，我们将其扩展到电路(SPICE)模拟。
2017年12月28日
我们的论文“用于亚十卡纳米高性能技术节点的日耳曼MOSFET”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。这里w我们在非平衡格林函数(NEGF)形式主义框架下采用自洽量子弹道输运模型，并分别依赖于n型和p型通道的单带和双带k·p哈密顿量。这项工作是在Raman-Charpak奖学金计划下与法国国家科学研究中心合作完成的。
2017年11月8日
Ram Krishna Ghosh博士加入了新德里贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学(JNU)纳米科学特别中心，担任DST激励教师。
2017年的10月25日
Dipankar Saha成功地为他的博士论文辩护。
2017年8月29日
我们发表在《应用物理快报》上的论文“单分子MoS2中金属到半导体相边界的原子建模”已经在研究所的自然指数的物理科学类别下找到了位置(链接)
2017年8月29日
新的视频被添加到nsdrlTube
2017年8月22日
我们已经为我们的实验室开设了youtube频道，研究人员将在那里谈论他们最新发表的工作。
2017年8月16日
Dipankar Saha在印度理工学院马德拉斯2017年的“倒塌墙实验室”上发表了“伟大的思想3分钟”演讲。在274份申请中，只有14人最终入选。
2017年8月16日
我们的论文“零肖特基势垒高度在石墨烯插入mos2 -金属界面的展望”发表在J. Appl。理论物理。收到10次交叉引用20个月内它的出版。在本文中，我们介绍了关于插入石墨烯如何调节MoS2-金属界面的肖特基势垒的物理化学见解，这是一种最近用于提高MoS2通道晶体管性能的技术。
2017年7月28日
我们祝贺我们的前博士生Ram Krishna Ghosh博士获得2017年DST激励教师奖。
2017年7月2日
我们的论文“应变单层MoS₂MOSFET的性能分析”(IEEE T-ED, 60(9)， 2782)在《自然评论材料》(doi:10.1038/natrevmats.2017.33)中被引用。
2017年6月5日
Dipankar Saha已经提交了他的论文进行评估。他从事异相MoS2结构中载流子传输的原子学研究。
2017年5月16日
我们的合作工作“MoTe2-MoS2垂直异质结构中的光可调谐转移特性”已被NPJ 2D Materials and Applications接受发表。当我们物理系的同事进行实验时，我们开发了原子器件模型，并进行了基于第一性原理的计算，以阐明他们的发现。
2017年3月25日
我们的论文“1T’单层MoS2及其金属界面的各向异性输运”已被RSC Physical Chemistry Chemical Physics接受发表。利用基于第一性原理的量子输运计算，我们证明，由于1T’MoS2中“Mo”原子的聚类，沿之字形方向的输运明显高于扶手椅方向的输运。我们进一步将这项研究扩展到1T’MoS2与金和钯的界面，为优化的金属-1T’MoS2边缘接触几何形状建立原子模型，以评估与方向相关的接触电阻，这可能有助于设计相工程MoS2电子器件。
2017年3月4日
我们的论文“金属-半导体-金属异相MoS2中的不对称结”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，通过使用实验结果驱动的原子建模技术，我们证明了源漏对称，这是金属氧化物半导体场效应晶体管的独特属性，可能不会在原子薄的相工程MoS2基MOSFET中被保留。
2017年1月28日
我们的论文“低有效质量通道普通双栅MOSFET的表面势方程”已被IEEE电子器件学报接受发表。本文提出了包含费米-狄拉克分布、波函数在栅氧化层中的穿透和栅氧化层厚度不对称性的泊松-薛定谔耦合系统的一个紧凑解析解。
2016年9月8日
Madhuchhanda Brahma获得了著名的2016年拉曼-查帕克奖学金http://www.cefipra.org/pdf/Results_for_the_Raman_Charpak_Fellowship_2016.pdf这将使她能够在马赛普罗旺斯微电子纳米科学研究所(IM2NP)完成部分博士论文。
2016年6月8日
我们的论文“单分子MoS中金属-半导体相边界的原子建模2已被《应用物理快报》接受发表。在这封信中，接口的2H和1T '多型的MoS2我们首先恰当地模拟了“beta”和“gamma”相边界，并证明了与经验结果的良好一致性。然后，我们应用密度泛函理论和非平衡格林函数(NEGF)形式来评估肖特基势垒在相边界的电子性质。
2016年4月26日
Anuja Chanana成功地捍卫了她的博士论文。
2016年4月19日
我们的论文“单分子MoS的声子散射限制性能”2和WSe2n-MOSFET”发表在AIP进展上，在《自然通讯》中找到引用(doi:10.1038/ncomms11230)。
2016年3月25日
我们的论文“对单层MoS的电热输运性质的理论洞察”2已被《应用物理杂志》(Journal of Applied Physics)接受发表。在这项工作中，我们使用密度泛函理论和参数化分析势耦合量子输运方程来研究单层MoS中存在线缺陷时的电子和声子输运2．
2016年3月2日
Anuja Chanana获得了2015年Sarukkai Jagannathan奖。该奖项授予电子科学系表现最好的博士研究生，根据其发表论文的记录和CGPA。
2016年2月24日
论文“基于密度泛函理论的氯掺杂WS研究”2“-metal Interface”已被《Applied Physics Letters》接受发表。在本工作中，我们研究了单层WS电子结构的调制2与氯掺杂和电荷转移相关的变化时形成与金和钯的界面。
2016年1月14日
我们的论文“对单层MoS晶格热导率和热容的分析洞察”2已被《物理E》杂志接受发表。
2016年1月8日
Anuja Chanana已经提交了她的博士论文进行评估。她基于密度泛函理论研究了二维材料-金属界面。
2015年12月9日
我们的论文“零肖特基势垒高度在石墨烯插入MoS的展望2-Metal Interface”已被《Journal of Applied Physics》接受发表。本文应用密度函数理论来理解MoS中的肖特基势垒高度调制2-石墨烯插入两者之间时的金属界面。
2015年12月8日
我们获得了SERB-DST基金来进行异原子层晶体管的研究。
2015年11月23日
Ramkrishna Ghosh博士获得了2015年Tag公司奖章，这是该系每年颁发的最佳博士论文。他的工作包括分析用于纳米级晶体管应用的二维材料的真实和复杂的带结构。现为美国圣母大学博士后研究员。
2015年8月18日
我们的论文“金属接触到单层黑磷的第一性原理研究”在《科学》杂志上被引用(DOI:10.1126/ Science .aab2750)。
2015年7月28日
Biswapriyo Das (M.Tech IIEST)和Chethan Kumar (m.e IISc)已经作为博士生加入了我们的团队。
2015年7月13日
我们的论文“适用于栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的紧凑噪声建模”已被IET电路，器件与系统接受发表。本文基于普通双栅(CDG) MOSFET表面电位之间的准线性关系，提出了一种适用于栅氧化层厚度不对称的热噪声和闪烁噪声的紧凑模型。
7月11日
Chethan Kumar和Neha Sharan博士在2015年IEEE conect上以“indDG:适应栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的新紧凑模型”获得最佳论文奖。
2015年5月13日
我们的论文“对铌掺杂单层MoS的理论洞察2-Gold Contact”已被IEEE Transactions on Electron Devices接受发表。在这篇论文中，我们报道了一个第一性原理的研究之间形成的接触铌掺杂单层MoS电子性质2以及不同掺杂浓度的金。通过对投射能带结构、投射态密度、有效势和电荷密度差的仔细检验，我们证明了纯MoS的肖特基势垒性质2Nb的有效掺杂可使-Au触点由n型转变为p型。
2015年5月12日
Neha Sharan博士加入台湾台积电担任首席工程师。
2015年2月2日
Rekha Verma博士的博士论文获得了印度电子和半导体协会(IESA)颁发的2014年著名的TechnoInventor奖。她致力于碳纳米材料热电特性的理论和分析建模。
2015年1月31日
我们的论文“单分子MoS的声子散射限制性能”2和WSe2n-MOSFET”已被AIP Advances接受发表。本文通过Ab-initio模拟结合NEGF形式，展示了基于单层TMD的MOSFET的性能如何受到超过弹道极限的声子散射的限制。
2014年12月19日
Neha Sharan成功地为她的博士论文辩护。她致力于短通道非对称双栅极mosfet的紧凑建模。
2014年12月8日
Rekha Verma博士加入IIIT阿拉哈巴德担任助理教授。
2014年11月6日
我们的论文“金属接触到单层黑磷的第一性原理研究”已被《应用物理杂志》接受发表。本文首次用DFT方法研究了新型二维材料“磷烯”与金、钯、钛之间接触的欧姆性质。
10月28日
我们的论文“单分子层过渡金属二卤代化物通道基隧道晶体管”自2014年1月以来被IEEE J-EDS列为十大热门文章之一，并在《自然纳米技术》杂志上被引用(DOI: 10.1038/NNANO.2014.207)。引用如下:“在没有实验结果的情况下，2dm的预计TFET性能(图4d)是基于Ghosh和Mahapatra以及Zhang和同事的模拟。这些模拟提供了基于2d的tfet相对于最先进设备的潜力的首次估计。”
10月16日
我们的论文“线缺陷对单层MoS电传输特性的影响”2已被IEEE纳米技术汇刊接受发表。在这项工作中，我们提出了基于DFT的计算研究线缺陷对单层MoS电子性质的影响2．本文考虑了四种不同的以Mo和S为桥接原子的线缺陷，与最近的理论和实验观察相一致。我们的模拟表明，MoS的载流子电导降低了2-4倍2有线条缺陷的板材与有完美板材相比。
9月14日
我们的论文“从近内向远外区域单层石墨烯的连续导电性模型”已被IEEE电子器件学报接受发表。在本文中，我们提出了一个基于物理的单层石墨烯(SLG)电导率的封闭形式连续模型，该模型的有效性从接近狄拉克锥顶点的化学势扩展到远离狄拉克锥顶点的化学势。先前的模型仅在渐近区有效。
2014年9月9日
Neha Sharan女士已提交博士论文进行评审。她研究了适应栅氧化层厚度不对称的短沟道普通双栅MOSFET的紧凑建模。她的作品在一些期刊和会议上发表。
2014年8月4日
Dipankar Saha先生、Ananda Sankar Chakraborty先生和Madhuchhanda Brahma女士已以博士生身份加入我们的实验室。
2014年7月22日
我们的论文“Stone-Wales和晶格空位缺陷对金属ZGNR自由结构电热输运的影响”已被接受发表在Journal of Computational Electronics(施普林格)。本文采用原子模拟的方法研究了Stone-Wales缺陷和晶格空位缺陷对锯齿形石墨烯纳米带在弹道极限下电热输运特性的影响。
6月14日
我们的论文“适用于栅极氧化物厚度不对称的短通道普通双栅极MOSFET模型”已被《IEEE电子器件学报》接受。本文利用独特的准线性表面势关系，将漏极诱导势垒降低(DIBL)、通道长度调制(CLM)、速度饱和和量子力学效应(QME)纳入indDG模型的核心。
2014年6月12日
Mahapatra教授加入了印度电子和电信工程师学会期刊《IETE Technical Review》的编委会。
2014年6月4日
Sitangshu Bhattacharya博士加入IIIT阿拉哈巴德担任助理教授。
2014年5月24日
Mahapatra教授于5月12日至21日在印度理工学院甘地纳加尔分校的知识网络项目下举办了“紧凑建模的艺术”研讨会(http://www.iitgn.ac.in/kn/)
2014年5月16日
Pujarini Ghosh博士获得大学资助委员会Kothari博士后奖学金。
2014年5月15日
我们的论文“Germanane:一种用于未来fet的“低有效质量”-“高带隙”二维通道材料”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。本文通过从头算仿真，讨论了在椅子和船两种不同形态下，采用日耳曼烷作为常规和隧道场效应晶体管通道材料的可能性。
5月7日
Neha Sharan已获得DST旅行补助金，在华盛顿特区的紧凑建模研讨会上发表她的论文。
4月15日
Jandhyala Srivatsava博士加入了VLSI和嵌入式系统技术中心，IIIT海德拉巴担任助理教授。
2014年4月1日
Amretashis Sengupta博士已加入BESU(孟加拉工程与科学大学，Shibpur) VLSI技术学院，担任DST Inspire教员。
2014年3月30日
Neha Sharan获得了该研究所颁发的Sarukkai Jagannathan奖，以支持她参加会议并发表论文的差旅费。
2014年3月7日
Jandhalya Srivatsava博士获得了2013年Tag公司奖章，这是该系每年颁发的最佳研究论文。他参与了indDG紧凑模型的核心开发。他曾获美国加州大学伯克利分校BSIM紧凑模型组博士后奖学金。
2014年1月16日
我们祝贺Amretashis Sengupta博士获得2013年极具声望的激励教师奖。http://www.inspire-dst.gov.in/December2013_session_II.pdf
2014年1月15日
我们的论文“单层过渡金属二硫化物通道基隧道晶体管”已出现在电子器件学会IEEE杂志的热门文章列表中。http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6675794
2014年1月4日
我们的论文“含石威尔斯缺陷的氮化硼嵌板石墨烯纳米带MOSFET的性能分析”已被《应用物理杂志》接受发表。本文利用DFT-NEGF技术研究了基于MOSFET特性的氮化硼嵌入石墨烯扶手式纳米带通道的性能。我们还证明了石边缘缺陷对晶体管特性的影响。
2013年12月6日
Rekha Verma的博士论文题目为“碳纳米材料的电热和热电性能研究”。她的研究成果在IEEE和其他期刊上发表了多篇文章。
2013年11月22日
我们的论文“单层过渡金属二卤代化物通道隧道晶体管，已被接受发表在开放获取的IEEE电子器件学会杂志。本文利用密度泛函理论(DFT)研究了MX2材料的实虚能带结构，并在WKB近似下计算了门控隧穿电流。此外，我们还证明了应变对MX2基tfet复杂能带结构和性能的影响。
2013年11月18日
我们的论文“基于连续性方程的独立双栅MOSFET非准静态电荷模型”已被接受发表在《计算电子学杂志》上。在本文中，我们展示了我们为准静态电荷建模提出的“分段电荷线性化技术”如何在非准静态情况下扩展。
2013年11月12日
我们的论文“MoS中负微分电阻及缺陷和变形的影响”2“扶手椅纳米带MOSFET”已被《应用物理学杂志》接受发表。在本文中，我们使用DFTB分析了不同的机械变形(扭曲，波纹等)对单层MoS的影响2纳米带超短通道MOS晶体管。
2013年10月29日
Ramkrishna Ghosh已加入宾夕法尼亚州立大学Suman Datta教授的团队，成为博士后研究员。
2013年8月21日
Ram Krishna Ghosh成功地捍卫了他的博士论文，题为“探索下一代晶体管应用纳米材料的真实和复杂色散关系”。他的研究成果在IEEE和其他期刊上发表了多篇文章。
2013年8月16日
基于通过C13同位素掺杂控制单层简并石墨烯薄片中的声子运动的概念(参见我们在IEEE T-ED 2013年6月的论文)，我们申请了一项名为“基于石墨烯的热电发电机”的印度专利(3625/CHE/2013)。
2013年8月16日
Madhuchhanda Brahma女士已加入我们实验室担任项目助理。她读了硕士。孟加拉工程与科学大学的超大规模集成电路设计专业。
2013年8月5日
Rekha verma女士已提交博士论文进行评审。主要从事碳纳米材料的电热和热电性质研究。
2013年7月29日
我们的论文“汤姆逊效应下石墨烯薄片随时间的焦耳热方程的解”已被IEEE电子器件学报接受发表。在这篇论文中，我们证明了同位素纯(只含C12) SLG片的温度比掺杂其同位素(C13)时更快地达到饱和水平。这些结果已经用电子与平面内和弯曲声子的相互作用来表述，以证明场相关的兰道尔透射系数。
2013年7月26日
Dipankar Saha先生加入本实验室担任项目助理。他读了硕士。2013年毕业于Jadavpur大学VLSI设计和微电子技术专业。
2013年7月24日
Pankaj Kumar Thakur博士加入印度理工学院Ropar担任助理教授。在他的博士论文中，他研究了独立双栅MOSFET的不同紧凑建模方面。他是加州大学伯克利分校BSIM组的博士后研究员。
2013年7月13日
我们的论文“应变单层MoS的性能分析”2“MOSFET”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，我们使用内部的NEGF模拟器研究了单层MoS的性能2MOSFET在单轴和双轴应变下的弹道极限。
2013年7月4日
我们的论文“基于石墨烯-氮化硼异分子层的隧道场效应晶体管的提议”已被IEEE纳米技术汇刊接受发表。在本文中，通过分析复杂的带结构，我们证明了石墨烯-氮化硼异双层通道在高性能隧道场效应晶体管应用中的可能性。
6月18日
我们的论文“单层石墨烯板中温度和场相关电子迁移率的建模”已被IEEE电子器件学报接受发表。在这项工作中，我们利用Landauer和Mc Kelvey的载流子通量方法，在有限温度和准弹道条件下，解决了基于物理的单层石墨烯片中电场依赖性电子迁移率的分析模型。
2013年6月3日
Pujarini Ghosh女士已加入我们的实验室，担任研究助理(RA)，德里大学微电子学博士，新德里南校区。
2013年5月20日
Ved Prakash先生，ME微电子已加入我们实验室的ME项目。
2013年5月20日
Neha Sharan已被CEFIPRA选中参加2013年ESONN会议(“http://esonn.fr”)。该项目仅支持6名印度学生的参与。
2013年5月9日
我们的论文“适用于栅-氧化物-厚度不对称的普通双栅mosfet的非准静态电荷模型”已被IEEE电子器件学报接受发表。本文将先前用于建立indDG准静态电荷模型的表面势准线性关系的概念推广到基于连续性方程的非准静态(NQS)电荷模型。
2013年5月1日
我们的论文“过渡金属二卤代化物(MX2)纳米管环绕栅弹道场效应晶体管的性能极限”已被《应用物理杂志》接受发表。本文通过DFT和NEGF的形式，分析比较了不同MX2纳米管MOS晶体管在弹道极限下的特性。
2013年4月30日
Ramkrishna Ghosh先生已经提交了他的博士论文进行评估。在这篇论文中，他研究了纳米材料的实色散和虚色散关系，为其在下一代晶体管中的应用提供了可能。
2013年4月12日
Pankaj Kumar Thakur成功地捍卫了他的博士论文。
2013年4月11日
我们的论文“用于能量收集的单层石墨烯片的热电性能”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，我们首次展示了石墨烯在“芯片内”废热回收应用方面的巨大潜力。
2013年3月6日
Sitangshu Bhattacharya博士加入Shiv Nadar大学工程学院担任助理教授。他与我们团队长期合作，发表了几篇重要的论文。
2013年2月27日
J. Srivatsava成功地捍卫了他的博士论文。他目前在加州大学伯克利分校BSIM组从事博士后工作。
2013年2月13日
阿比·亚伯拉罕因其在m.e微电子专业的出色表现而获得2011-2012学年的“校友奖章”。他致力于独立双栅MOSFET的紧凑建模问题，并发表了三篇IEEE T-ED出版物。
2013年1月31日
Arkaprava Bhattacharya博士加入我们实验室担任助理研究员。博士毕业于法国波尔多大学IMS实验室。在他的博士工作中，他使用物理设备模拟(Sentaurus)和紧凑建模(HICUM)研究了SiGe HBT中的非准静态效应。
2012年12月24日
我们的前实验室成员，Aby Abraham(微电子工程硕士2010-2012批次)在竞争激烈的IES(印度工程服务)考试中排名第一。他辞去了英特尔班加罗尔公司的工作，加入了IRISET(印度铁路信号工程与电信研究所)。
2013年12月15日
Amretashis Sengupta博士受邀在不来梅计算材料科学中心的CeCAM研讨会上发表演讲。检查在这里
2012年12月3日
我们已获得印度政府科技部(DST)的资助，进行基于二维材料的MOS晶体管的研究。
2012年11月13日
Surya Shankar Dan博士，我们实验室的第一个博士毕业生，加入了印度理工学院海得拉巴的电子工程系，担任助理教授。
2012年11月6日
我们的纸k。基于[100]和[110]松弛和应变硅纳米线的封闭形式能带隙和输运电子有效质量模型”已被接受发表在《固体电子学》杂志上。在这篇论文中，我们提出了一个基于物理的封闭形式模型，用于研究松弛和应变[100]和[110]取向的矩形硅纳米线(SiNW)的能带隙和输运电子有效质量。所提出的解析模型基于k.p形式，与基于数值模拟的紧密结合sp3d5s*方法吻合较好。这些模型对于基于SiNW的器件设计非常有用。
2012年11月3日
我们的论文“基于物理的弯曲声子依赖单层石墨烯热导率模型”已被IOP半导体科学与技术接受发表。在本文中，我们提出了一个基于物理的封闭形式的基于弯曲声子的悬浮矩形单层石墨烯(SLG)扩散热导率的解析模型，发现该模型在很宽的温度范围内与各种实验数据具有很好的匹配。该模型对石墨烯基互连的高效电热分析非常有用。
2012年10月24日
我们的论文“反向偏置MoS中的直接带对带隧道2“纳米带p-n结”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，我们首次探讨了利用MoS的可能性2作为隧道场效应晶体管的通道材料。
2012年10月22日
J. Srivatsava已加入加州大学伯克利分校BSIM小组，担任博士后。
2012年10月16日
我们的论文“基于物理的自热效应下石墨烯电阻的解决方案”已被IEEE电子器件学报接受发表。本文通过求解不同电流密度和温度下的焦耳自热方程，提出了一种估算悬浮单层石墨烯电阻的新方法。鉴于石墨烯的热导率和自热效应的强烈兴趣，该技术是有用的。它也可以用来与最近的实验进行比较。
2012年10月5日
我们的论文“独立双门MOSFET的双极泊松解”已被IEEE电子器件学报接受发表。在本文中，我们提出了一个新的IVE(输入电压方程)，用于非对称/独立双栅MOSFET的紧凑建模，该方程从累积到反演都是有效的。现有的IVEs是基于泊松方程的单极解，因此仅适用于反演模式的应用。
2012年9月10日
J. Srivatsava先生已提交博士论文进行评审。他从事独立/不对称双栅极mosfet的紧凑建模。
2012年8月2日
Anuja Chanana女士以博士生身份加入实验室。
2012年7月24日
Amretashis Sengupta被选为DST纳米科学与技术博士后奖学金(“http://www.jncasr.ac.in/annview.php?id=280”)
2012年5月30日
我们的论文“适用于栅-氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅MOSFET的紧凑模型中包含体掺杂”已被IET电子快报接受发表。在这里，我们提出了一种简单的技术，在indDG核心中包括体掺杂，这是为未掺杂的体器件开发的。该方法能较准确地预测通道完全耗尽时的电流和终端电荷。
2012年5月29日
我们的论文“考虑自热效应的金属碳纳米管电迁移的理论估计”已被IEEE电子器件学报接受发表。在本文中，我们估计了考虑自热的同位素纯和不纯金属单壁碳纳米管(SWCNT)中电迁移扩散方程(EMDE)的解，这可能是第一次。然后，本文提出的方法可以很好地估计下一代碳纳米管互连上的电迁移效应。
2012年4月20日
Amretashis Sengupta加入我们的团队，担任研究助理(RAP)，来自加尔各答Jadavpur大学的纳米电子器件博士。
2012年3月28日
我们的论文“独立DG MOSFET紧凑电荷建模的分段线性化技术”已被IEEE电子器件学报接受发表。本文概括了传统电荷线性化技术在模拟独立双栅MOSFET终端电荷时的局限性，这是Pankaj早前在他的T-ED论文中注意到的。本文还推广了Pankaj提出的通道分割概念，并通过引入一次和二次输入电压方程(P-IVE和S-IVE)的新概念，提出了一个计算效率更高的充电模型。新模型保留了射频电路设计中必不可少的源/漏交流对称性，并在专业电路模拟器中成功实现。
2012年3月8日
我们的论文“基于物理的放松和应变[100]硅纳米线带隙模型”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。与文献中常见的计算密集型数值技术相比，在这项工作中，我们提出了一个基于物理的简化分析模型，计算放松和应变矩形[100]硅纳米线(SiNWs)的能带隙和电子有效质量。我们提出的公式分别基于非简并双带模型的有效质量近似和导带电子和价带重空穴的能量色散关系的4×4 Luttinger hamilton。
2012年2月15日
Mahapatra教授被印度政府科技部授予“Ramanna奖学金”，以支持他在多门mosfet紧凑建模领域的研究活动。这个奖项第一次授予电子科学领域的人。
二零一二年一月十一日
我们的论文“适用于栅-氧化物-厚度不对称的对称双栅mosfet的简单电荷模型”已被IEEE电子器件学报接受发表。本文提出了一种分析技术，以非常简单和优雅的方式处理FinFET晶体管中的栅氧化层厚度不对称。该模型已在电路模拟器中实现。
二零一二年一月十日
本系名称已由“电子设计与技术中心”变更为“电子系统工程系”。
二零一二年一月二日
曼尼坎塔，医学微电子学一年级学生加入了实验室做他的医学项目。他将致力于在紧凑型车型中纳入身体兴奋剂。
2011年12月15
我们的论文“独立DG MOSFET表面电位计算效率的改进”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，我们展示了我们之前提出的表面电位计算算法的一些重大改进(IEEE T-ED 2011年6月)。这对Aby Abraham来说是一个巨大的成就，他是这篇论文的第一作者，目前正在完成微电子学的m.e项目。因为这两年的医学硕士课程全部都是课程作业，所以学生们很少有时间做研究。
11月16日
Surya Shankar Dan(2006-2009年博士生)在2010 -2011年获得了Tag公司奖章，这是每年颁发给CEDT的最佳研究论文。他分析了能量量子化对硅单电子晶体管器件和电路的影响。他目前在瑞士联邦理工大学从事博士后研究工作。
2011年10月18日
Pankaj Kumar Thakur先生已提交博士论文进行评审。他致力于独立双栅极晶体管的紧凑建模。
2011年9月21日
Sudipta Sarkar (M.E.微电子学2008-2010批学生)在2009-10学年SMDP-II下获得了最佳m.t tech论文奖。这是由通信和信息化部颁发的国家级奖项。他与Ananda Shankar Roy博士(Intel, Hillsboro)合作，致力于双栅mosfet的非准静态建模。他的研究成果曾在《固体电子学杂志》和超大规模集成电路设计会议上发表。奖金包括实验室12.5万卢比，导师12500卢比，学生7500卢比。
2011年9月19日
我们的论文“双层石墨烯纳米带中的量子电容”已被《物理学e》接受发表。在这篇论文中，我们提出了一个基于物理的分析模型，在外部纵向静态偏压的应用下，双层石墨烯纳米带中的量子电容(CQ)。我们证明，随着狄拉克点间隙的增大，两组子带中的载流子发生了唯象总体反转。这导致了CQ随通道势的周期性和复合振荡行为，该行为也随间隙的增加而减小。
9月14日
来自ISEP (Institut supérieur d ' électronique de Paris)的Costin Anghel教授参观了我们的实验室。他是我们IFCPAR资助项目的合作者。他做了一个关于隧道场效应晶体管的有趣的报告。
2011年8月2日
雷克斯先生成功地为他的理学硕士(工程)论文辩护。他致力于金属碳纳米管热导率的分析建模，这在下一代碳基互连中具有重要意义。他的工作成果发表在IEEE EDL期刊上。他将加入印度科学研究所仪器与应用物理系攻读博士学位。
2011年8月2日
Rekha Verma女士和Neha Sharan女士已以博士生身份加入实验室。
2011年7月23日
我们的论文，“金属单壁碳纳米管互连焦耳加热方程的解析解”，已被IEEE电子器件学报接受发表。本文给出了金属单壁碳纳米管焦耳加热方程的一个封闭形式解析解。在二阶三声子Umklapp、质量差和边界散射现象的基础上，考虑了与温度相关的热导率(我们早些时候在IEEE EDL 2011年2月发表)。本文提出的解析模型与数值解吻合良好，可作为获得沿碳纳米管互连的温度分布的精确分析方法。
2011年6月1日
新课程“E3-225:紧凑造型的艺术”将于8月学期推出。课程内容可在Mahapatra教授的主页上查阅。
3月15日
我们的论文“用于独立DG MOSFET表面电位计算的高效稳健算法”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。在本文中，我们提出了一种算法来解决我们小组早期开发的IVEs (IEEE T-ED 2010年3月)。在电路模拟器中实现基于表面势的紧凑模型时，有效地求解IVEs是一个重要问题。IDG MOSFET的IVEs比体积或对称DG MOSFET复杂得多，因为它们有几个不可移动的奇异点和不连续点。该算法将常规Newton - Raphson算法与Ridders和Bisection方法独特地结合起来，在任何偏差条件下都能保证有效的收敛，并在商业电路模拟器中成功实现。这篇论文是设备物理学和科学计算社区之间良好的跨学科工作的一个例子。
2011年2月28日
雷克斯已经提交了他的理学硕士(工程)论文。他的工作是“金属单壁碳纳米管的分析导热建模”，这可能会在下一代碳纳米管互连中得到应用。他的部分研究成果发表在2011年2月的《IEEE电子设备快报》上。
2011年1月4日
阿比·亚伯拉罕，医学微电子专业的一年级学生加入了实验室做他的医学项目。他将致力于多门mosfet的紧凑建模。
1月3日
我们的前实验室成员Sudipta Sarkar先生(m.e Microelectronics 2008-2010批)加入了Bhaskar Banerjee博士的团队，在德克萨斯大学达拉斯分校攻读博士学位。在此之前，他在班加罗尔的Rambus公司工作了几个月。
2010年11月26日
Avinash Sahoo(理学硕士)2007-2009届学生)获得了2009-2010年Tag公司奖章，该奖章每年颁发给CEDT的最佳研究论文。他的工作(发表在IEEE T-ED 2010年3月)为IDG MOSFET的紧凑建模提供了突破性的解决方案，并获得了多次引用。他的论文摘要可以在我们的网站上找到。
2010年11月4日
我们的论文“基于物理的热导率模型的金属单壁碳纳米管互连”被IEEE电子器件快报接受发表。在这篇论文中，我们可能是第一次提出了金属碳纳米管的温度依赖性热导率模型，这可能对下一代碳纳米管互连的热分析非常有用。值得注意的是，作为目前互连材料的Cu的热导率几乎不受温度变化的影响。碳纳米管的温度依赖性热导率早前已在实验中得到证实，但控制这一事件的散射机制尚未得到很好的理解。
2010年11月1日
我们实验室的第一位博士毕业生Surya Shankar Dan博士加入了Adrian Ionescu教授的团队，成为瑞士EPFL的博士后研究员。
10月1日
我们的论文“独立DG MOSFET的大信号模型”已被IEEE电子器件汇刊接受发表。它将在2011年1月出版。在一般的紧凑建模实践中，终端电荷被表示为源端和漏端通道反转电荷密度的显式函数。它非常适用于体积和对称DG mosfet。在本文中，我们已经证明了在IDG MOSFET的情况下，当通道的源端是三角模式而漏端是双曲模式时，很难继续这种做法，因为它会导致非物理行为。最近另一篇关于终端电荷建模的文章也遇到了同样的问题。因此，IDG MOSFET的紧凑建模似乎非常具有挑战性，因为完善的紧凑建模技巧不适用于该设备。