桑塔努·马哈帕特拉教授

Santanu Mahapatra于1999年在加尔各答Jadavpur大学获得电子和电信领域的学士学位，2001年在印度理工学院(IIT)坎普尔获得电子工程领域的硕士学位(微电子学专业)，2005年在瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)获得博士学位。在他的博士论文中，他致力于单电子晶体管(SET)的建模及其与CMOS的联合仿真和联合设计。

他于2005年8月加入印度班加罗尔印度科学研究院(IISc)电子系统工程系(原CEDT)，担任助理教授，并于2010年9月和2015年12月分别晋升为副教授和正教授。2006年成立纳米器件研究实验室，研究团队在电路、器件和原子层面对纳米材料中的载流子传输进行建模。主要研究方向为二维通道晶体管、节能电子开关和纳米级储能。他著有《混合CMOS单电子晶体管器件和电路设计》一书。他于2007年获得IBM教员奖，2007年获得微软印度研究院杰出教员奖，2009年获得印度科学院院士奖。他还获得了印度政府科技部电气科学学科的Ramanna奖学金(2012年至2015年)，以表彰他在紧凑建模方面的贡献。

他是IEEE(电子设备学会)的高级成员，也是Sadhana的编辑。他是印度工业技术学院阿拉哈巴德分校的兼职教员。

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课程:

• E3225 -紧凑造型的艺术(8月学期)
  课程:固体能带理论，载流子输运机理，P-N结二极管，MOS电容器理论，C-V特性，MOSFET工作，紧凑模型类型，输入电压方程，电荷线性化，电荷建模，核心模型概念，准静态和非准静态模型，Verilog-A简介，EKV和PSP简介
• E3268 -先进的CMOS和超越CMOS(一月学期)
  课程:ITRS，短通道器件的问题:SCE, DIBL，泄漏，突破性解决方案:SOI，高K，金属栅极，非经典MOSFET, CMOS尺度限制，新兴纳米技术:SET, QCA, RSQF, RTD。

资助研究项目:

• 项目负责人“基于二维磁体的新型自旋电子器件的探索”，由SERB-DST资助，2021-2023。
• 国家超级计算任务(NSM)资助的“基于百亿亿次反应分子动力学的二维材料电阻开关研究”项目的首席研究员，2021-2023年。
• “用于集成电路应用的二维材料的计算筛选”项目的首席研究员，由MATRICS-SERB资助，2020-2023年。
• “锂离子存储的二维材料信息学”项目的首席研究员，由技术任务部门能源和水DST资助，2019-2022年。
• 金砖国家科技与创新合作:2019-2022年基于二维材料的神经形态计算电子突触
• 与TU-Wein合作的印度-奥地利流动补助金，2018年6月- 2020年5月。
• 项目负责人“基于量子输运方程的下一代紧凑模型”，由CSIR资助，时间:2018年5月至2021年4月。
• 由ISRO-IISC空间技术小组资助的“基于第一原理的下一代锂离子电池原子薄层状材料探索”项目的主要研究员，时间:2017年4月至2020年3月。
• 项目负责人:SERB-DST资助的“理解异原子层晶体管中的电子和声子输运”，时间:2015年12月至2018年12月。
• 项目负责人:SERB-DST资助的“通过新型器件模拟器开发(MOS)2FET性能评估”，项目时间:2012年12月至2015年11月。
• “下一代多栅MOS晶体管的专业紧凑模型”，由科技部(DST) Ramanna奖学金计划资助(时间:2012年至2015年)。
• ISRO-IISC空间技术单元资助的“应变对硅影响的从头算分析研究”项目首席研究员(时间:2010 - 2013)
• 由IFCPAR(印法先进研究促进中心)与ISEP-Paris联合资助的“非对称双栅纳米级晶体管的紧凑建模”项目主要研究员(时间:2010年至2013年)。
• 参与项目“碳纳米管晶体管及其互连的紧凑建模”，由印度科技部(DST)在Fasttrack计划下资助(时间:2009 - 2012)。
• 印度科技部(DST)资助项目“非线性泊松方程在纳米尺度多门晶体管紧凑建模中的高效计算解析解”，项目负责人(时间:2009 - 2012)
• 由印度科学与工业研究委员会(CSIR)资助的项目“单一电子:迈向混合CMOS-SET电路设计”的首席研究员(时间:2007年至2010年)
• 2007 - 2010年IBM印度公司资助的“sub 65nm技术节点的器件可靠性建模与仿真”项目负责人
• 2006 - 2009年印度科技部Fasttrack项目“硅纳米线的紧凑建模与仿真”项目负责人

期刊出版物

1. Sirsha Guha, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“簇聚- p1硼芴的发现及其作为最轻高性能晶体管的应用”。ACS应用材料与界面，2023.
2. Sanchali Mitra和Santanu Mahapatra，“单层六方氮化硼非挥发性电阻开关的见解”，应用物理杂志， Vol. 132, pp. 224302, 2022
3. Arnab Kabiraj, Tripti Jain和Santanu Mahapatra，“大规模蒙特卡罗模拟引导的二维居里温度的可解释学习”，模式，细胞出版社，Vol. 3, pp. 100625, 2022。［12月号封面] [Nanowerk聚光灯］
4. Sanchali Mitra和Santanu Mahapatra，“石墨烯插入二维半导体-金属界面的Schottky-Mott极限”，应用物理杂志， Vol. 132, pp. 145301, 2022。
5. Sirsha Guha, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“具有低阻接触的功能工程MXene晶体管的高通量设计”。npj计算材料，《自然》杂志，第8卷，第202页，2022。[Nanowerk聚光灯] [《自然印度》的研究亮点］
6. Shreeja Das, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“半金属Cr2C二维隧道结的室温巨磁电阻”，纳米级, 2022年。
7. Vaishnavi Vishnubhotla, Arnab Kabiraj, Aninda J Bhattacharyya，和Santanu Mahapatra，“钠和镁吸附多态硼酚的全球最小值搜索”，物理化学杂志C, 2022年。
8. 一个rnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“用于储能设备的二维电极材料的高通量评估”，细胞报告物理科学， Vol. 3, pp. 100718, 2022。[Nanowerk聚光灯] [《自然印度》的研究亮点] [《印度时报》］
9. Sanchali Mitra, Om Kesharwani和Santanu Mahapatra，“通过石墨烯插入单层碲-金属界面的欧姆到肖特基转换”，物理化学杂志C中国科学院学报，Vol. 25, pp. 12975-12982, 2021。
10. Sanchali Mitra, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“单层二硫化钼无源电极的非挥发性电阻开关理论”，npj2d材料与应用，《自然》杂志，2021年。[第一作者和第二作者的贡献相同]。［Nanowerk聚光灯] [科学X对话] [《自然印度》的研究亮点］
11. Arnab Kabiraj, Aninda J Bhattacharyya和Santanu Mahapatra，“单元素2D材料中多态驱动锂离子存储的热力学见解”，的物理化学通讯，第12卷，第1220页，2021。
12. Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“二维晶体管高频工作的第一原理预测模型”，应用物理杂志， Vol. 128, pp. 234502, 2020。
13. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“机器智能驱动的2D电荷密度波相位高通量预测”，的物理化学通讯，Vo. 11, pp. 6291, 2020。［Nanowerk聚光灯] [科学X对话] [虚拟问题:物理化学中的机器学习］
14. Biswapriyo Das, Diptiman Sen和Santanu Mahapatra，“密闭1T’过渡金属二卤属化合物中的可调谐量子自旋霍尔态”，科学报告,《自然》杂志，2020年。［自然收藏:物理学前100名］
15. Arnab Kabiraj, Mayank Kumar和Santanu Mahapatra，“高居里点二维铁磁材料的高通量发现”，npj计算材料，《自然》杂志，2020年。［Phys.org新闻] [《自然印度》的研究亮点] [《科学报道》］
16. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“插层驱动的二维磁可逆开关”，物理化学杂志C，Vol. 124, No. 1146-1157, 2020。
17. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Marc Bescond和Santanu Mahapatra，“光子场效应晶体管中的声子限制各向异性量子输运”应用物理杂志中国科学院学报，2019,Vol. 126, No. 114502。［编辑器的选择] [Vigyan Prasar的特色］
18. Sahil Garg, Bipan Kaushal, Sanjeev Kumar, S.R Kasjoo, Santanu Mahapatra和Arun K. Singh，“InGaAs自开关二极管沟槽电容的提取和反向恢复时间”IEEE纳米技术汇刊， Vo. 18, pp. 925, 2019。
19. Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“高通量第一性原理-基于单层二硫化铼锂离子存储估计的计算”化学通讯，《自然》杂志，2018年。［自然系列:2019年诺贝尔化学奖] [自然收集:能量储存和转换] [自然系列:2D化学］
20. Biswapriyo Das和Santanu Mahapatra，“全2d金属绝缘体半导体场效应晶体管的原子到电路建模方法”npj2d材料与应用，自然作品集杂志，卷。2、2018年第28期。
21. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“iv组单硫系隧道场效应管的可扩展性评估”科学报告,自然作品集杂志，2018。
22. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量通道通用双门MOSFET的紧凑模型”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2018年第3期，第888-894页。
23. Madhuchhanda Brahma, Marc Bescond, Demetrio Logoteta, Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“用于亚十卡纳米高性能技术节点的德国烷MOSFET”IEEE电子器件汇刊，《中华人民共和国学报》Vol. 65, No.3, pp. 1198-1204, 2018。
24. Arup Paul, Manabendra Kuiri, Dipankar Saha, Biswanath Chakraborty, Santanu Mahapatra, A.K. Sood和Anindya Das，“MoTe2-MoS2垂直异质结构的光可调谐转移特性”npj2D材料及应用，《自然》杂志2017年第1卷。
25. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“1T’单层MoS2及其金属界面的各向异性输运”物理化学化学物理《中国日报》，2017年第19卷，第10453页。
26. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“金属-半导体-金属异相MoS2的不对称连接”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第5期，页2457-2460。
27. Ananda Sankar Chakraborty和Santanu Mahapatra，“低有效质量沟道普通双栅MOSFET的表面电位方程”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2017年第4期，页1519-1527。
28. Adam Makosiej, Navneet Gupta, Naga Vakul, Andrei Vladimirescu, Sorin Cotofana, Santanu Mahapatra, Amara Amara和Costin Anghel，“用于低待机功率应用的超低泄漏SRAM设计”IET微纳通讯，第11卷第12期，2016年第828-831页。
29. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra“单分子MoS2中金属-半导体相边界的原子建模”，应用物理通讯，第108卷，第253106页，2016。
30. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“带线缺陷的单层MoS2电热输运特性的理论见解，”应用物理杂志， Vol. 119, pp. 134304, 2016。
31. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“基于氯掺杂WS2 -金属界面的密度泛函理论研究”，应用物理通讯《中国科学》，2016年第108卷，第103107页。
32. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“对单层MoS2晶格热导率和热容的分析洞察，”自然史E， Vol. 83, pp. 455-460, 2016。
33. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“零肖特基势垒高度在石墨烯插入mos2 -金属界面的前景，”应用物理杂志《中国科学》，Vol. 119, pp. 014303, 2016。
34. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅极氧化物厚度不对称的普通双栅MOSFET的紧凑噪声建模”，IET电路，设备和系统《中国科学》2016年第10卷第1期，62Ð67页。
35. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“铌掺杂单分子mos2 -金接触的理论洞察”，IEEE电子器件汇刊， Vol 62 No 7, pp. 2346-2351, 2015。
36. Amretashis Sengupta, Anuja Chananna和Santanu Mahapatra，“单分子MoS2和WSe2 n-MOSFET的声子散射限制性能”，每年的进步《中国科学》，2015年第2卷第5期，第027101页。
37. Amretashis Sengupta, Dipankar Saha, Thomas A. Niehaus和Santanu Mahapatra，“线缺陷对单层MoS2片电传输特性的影响”，IEEE纳米技术汇刊， 2015年第14卷第1期，第51-56页。
38. Anuja Chanana和Santanu Mahapatra，“金属与单层黑磷接触的第一原理研究”，应用物理杂志vol .11, pp. 204302 (1-9)， 2014
39. Sitangshu Bhattacharya, Dipankar Saha, Aveek Bid和Santanu Mahapatra，“从近内向远外区域的单层石墨烯连续导电模型”，IEEE电子器件汇刊《中华人民大学学报》，Vol. 61, No. 11, pp. 3646 -3653, 2014。
40. Dipankar Saha, Amretashis Sengupta, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“石-威尔士和晶格空位缺陷对金属ZGNR自由结构电热输运的影响”，计算电子学杂志(施普林格)《中国科学》，2014年第13卷第4期，第862-871页。
41. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“一种适用于栅极氧化物厚度不对称的短通道普通双栅极MOSFET模型”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2014年第8期，页2732-2737。
42. Ram Krishna Ghosh, Madhuchhanda Brahma, Santanu Mahapatra，“Germanane:一种用于未来fet的“低有效质量”-“高带隙”二维通道材料”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，Vol. 61, No.7, pp 2309-2315, 2014。
43. Anuja Chananna, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“氮化硼嵌入扶手椅石墨烯纳米带MOSFET的性能分析”，应用物理杂志， Vol. 115, pp. 034501, 2014。
44. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“基于连续性方程的独立双栅MOSFET非准静态电荷模型”计算电子学杂志(施普林格)《中国科学》，2014年第13卷第2期，第353-359页。
45. Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“单层过渡金属双卤属化物通道隧道晶体管”，IEEE电子器件学会杂志， Vol. 1, No. 10, pp. 175-180, 2013。
46. Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“MoS2扶手椅纳米带MOSFET中缺陷和变形的负微分电阻和影响”，应用物理杂志，第114卷，第194513页，2013。
47. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“汤姆逊效应下石墨烯薄片随时间焦耳热方程的解”，IEEE电子器件汇刊第60卷。，No. 10, pp. 3548-3553, 2013.
48. Amretashis Sengupta, Ram Krishna Ghosh, Santanu Mahapatra，“应变单层MoS2 MOSFET的性能分析”，IEEE电子器件汇刊第60卷。第九名。，pp. 2782-2787, 2013.
49. Ram Krishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“基于石墨烯-氮化硼非双层隧道场效应晶体管的建议”，IEEE纳米技术汇刊《中国科学》，2013年第12卷第5期，第665-667页。
50. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“单层石墨烯薄片中依赖温度和场的电子迁移率的建模”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，Vol.60, No. 8, pp. 2695 - 2698, 2013。
51. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的普通双栅mosfet的非准静态电荷模型”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2013年第7期，页2419-2422。
52. Amrethashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“过渡金属二卤族化物(MX2)纳米管环绕栅弹道场效应晶体管的性能限制”，应用物理杂志， Vol. 113, pp. 194502, 2013。
53. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“用于能量收集的单层石墨烯片的热电性能”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2013年第6期，第2064-2070页。
54. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra, k。[100]和[110]弛豫和应变硅纳米线的p基闭形式能带隙和输运电子有效质量模型固态电子学， Vol. 80, pp. 124-134, 2013。
55. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的单层石墨烯弯曲声子依赖热导率模型”，IOP半导体科学与技术， Vol. 28, pp. 015009(1-6)， 2013。
56. Ramkrishna Ghosh和Santanu Mahapatra，“反向偏置MoS2纳米带p-n结的直接带对带隧穿”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》2013年第1期，页274-279。
57. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的自热效应下石墨烯电阻的解决方案”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2013年第1期，第502-505页。
58. Aby Abraham, Pankaj Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双门MOSFET的双极泊松解”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》Vol. 60 No.1, pp. 498-501, 2013。
59. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“适用于栅极-氧化物厚度不对称的全耗尽普通双栅极MOSFET紧凑模型中的体掺杂”，IET电子信件《中国科学》，2012年第48卷第13期，第794页。
60. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“考虑自热效应的金属碳纳米管电迁移的理论估计”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，Vol. 59 No. 9, pp. 2476-2482, 2012。
61. Srivatsava Jandhyala, Aby Abraham, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET紧凑电荷建模的分段线性化技术”，IEEE电子器件汇刊第59卷第7期，1974年，2012年。
62. Ramkrishna Ghosh, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“基于物理的放松和应变[100]硅纳米线带隙模型”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，Vol. 59 No. 6, pp. 1765-1772, 2012。
63. Srivatsava Jandhyala, Rutwick Kashyap, Costin Anghel和Santanu Mahapatra，“适用于栅-氧化物-厚度不对称的对称双栅mosfet的简单电荷模型”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，Vol. 59, No. 4, pp. 1002-1007, 2012。
64. Aby Abraham, Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算效率的改进”，IEEE电子器件汇刊《中国科学》，2012年第4期，第1199-1202页。
65. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“双层石墨烯纳米带的量子电容”，自然史E，第44卷，第7-8期，第1127-1131页，2012。
66. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“金属单壁碳纳米管互连焦耳加热方程的解析解”，IEEE电子器件汇刊《中国经济》，2011年第58卷第11期，第3991-3996页。
67. Srivatsava Jandhyala和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET表面电位计算的高效鲁棒算法”，IEEE电子器件汇刊， 2011年第58卷第6期，第1663-1671页。
68. Sitangshu Bhattacharya, Amalraj Rex和Santanu Mahapatra“基于物理的金属单壁碳纳米管互连热导率模型”，IEEE电子器件通讯， 2011年第32卷第2期，第203-205页。
69. Pankaj Thakur和Santanu Mahapatra，“独立DG MOSFET的大信号模型”，IEEE电子器件汇刊， 2011年第58卷第1期，第46-52页。
70. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“三栅MOSFET量子阈值电压的分析建模”，固态电子学2010.中国科学院学报，Vol. 54, 1586-1591。
71. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的统一大小信号非准静态模型”，固态电子学， Vol. 54, pp. 1421-1429, 2010
72. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高度不对称弹道双层石墨烯纳米带的负微分电导和有效电子质量”物理快报A， Vol. 374, pp. 2850-2855, 2010。
73. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，半导体碳纳米管载流子后向散射的简化理论:Kane模型方法，应用物理杂志， Vol.107, no . 9, pp. 094314, 2010。亦发表于虚拟纳米科学与技术杂志《中国科学》2010年第10期，第21卷
74. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，IET电路设备系统《中国科学》，2010年第4卷第5期，第449-457页。
75. Sivakumar Bondada, Soumyendu Raha和Santanu Mahapatra，一种计算互连延迟变异性的高效约简算法，用于时钟树规划的统计时序分析，工程科学学术论文集卷35，第4部分，407-418页，2010。
76. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“高不对称双层石墨烯纳米带低场扩散输运的分析研究”，Vol. 10, No. 3, pp. 409-416，IEEE纳米技术汇刊, 2010年。
77. Avinash Sahoo, Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极晶体管的高效广义泊松解”，IEEE电子器件汇刊第57卷，no。3, pp. 632-636, 2010。
78. Rakesh Kumar P和Santanu Mahapatra，“短通道四栅硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模”，Vol. 10, No. 1, pp. 121-128，IEEE纳米技术汇刊, 2010年。
79. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“单电子晶体管电路的能量量子化效应分析”，在IEEE纳米技术汇刊《中国科学》，Vol.9, No.1, pp. 38-45, 2010。
80. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化效应对电流偏置SET电路性能的影响”，IEEE电子器件汇刊，第56卷第8期，第1562-1566页，2009年。
81. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“能量量化对单电子逆变器性能影响的建模和分析”，物理E:低维系统与纳米结构，第41卷，第8期，第1410-1416页，2009。
82. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“强反演下带非抛物线性对III-V量子线场效应晶体管少数弹道特性的影响”，计算与理论纳米科学杂志《中国科学》，2009年第6卷第7期，第1605-1616页。
83. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“对称双栅晶体管的通道电位和亚阈值斜率的建模”，IEEE电子器件汇刊，卷56，第2期，260-266页，2009。
84. Ratul Kumar Baruah和Santanu Mahapatra，“通过“交叉点”概念来证明未掺杂体晶体管的阈值电压定义”，自然史B:《凝聚态》，404卷，第8-11期，2009年5月1日，第1029-1032页。
85. Sitangshu Bhattacharya, Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“带非抛物线性对III-V及相关材料中delta掺杂MODFED量化门电容的影响”，应用物理杂志中国科学院学报，Vol. 104, No. 7, pp. 074304-1 - 074304- 9,2008。
86. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“圆柱形gate -全能纳米线晶体管体势的建模和分析”，IEEE电子器件汇刊《中华人民大学学报》，2008年第55卷第9期，第2409-2416页。
87. Nayan B Patel, Ramesha A和Santanu Mahapatra，“源处应变SiGe层的n型隧道场效应晶体管的驱动电流增强”，微电子学杂志第39卷，第12期，第1671-1677页，2008年。
88. Chaitanya Sathe, Surya Shankar Dan，和Santanu Mahapatra，“通过噪声裕度建模评估SET逻辑鲁棒性”，IEEE电子器件汇刊，卷55号，页909-915,2008。
89. Serge Ecoffey, Didier Bouvet, Santanu Mahapatra, Gilles Reimbold, Adrian Mihai Ionescu，“10nm薄多晶硅线从4K到400K的电传导及其混合存储器的操作”，日本应用物理杂志第1部分2006年6月，第45卷第6期。
90. Santanu Mahapatra和Adrian Mihai Ionescu，“通过混合SETMOS架构实现多值逻辑和内存”，IEEE纳米技术汇刊，第4卷第6期，第705 - 714页，2005。
91. Serge Ecoffey, Vincent Pott, Santanu Mahapatra, Didier Bouvet, Pierre Fazan, Adrian Mihai Ionescu，“使用纳米颗粒多晶硅线的混合CMOS-SET联合制造平台”，微电子工程， Vol . 78-79, pp.239-243, 2005。
92. Santanu Mahapatra, Vaivabh Vaish, Christoph Wasshuber, Kaustav Banerjee和Adrian Mihai Ionescu，“混合CMOS-SET模拟IC设计的单电子晶体管(SET)分析建模”，电子器件汇刊，第51卷第11期，页1772 - 1782年,2004年。
93. Santanu Mahapatra和Adrian Mihai Ionescu，“一种新型基本单电子晶体管负微分电阻器件”，日本应用物理杂志，第1部分，第43卷，第2期，第538-539页，2004年。
94. Adrian Mihai Ionescu, Santanu Mahapatra，和Vincent Pott，“库仑封锁振荡和大电流驱动的混合SETMOS架构”，IEEE电子设备通讯，第25卷第6期，页411-413,2004。
95. Santanu Mahapatra, Adrian Mihai Ionescu和Kaustav Banerjee，“少电子电路模拟的准解析SET模型”，IEEE电子设备通讯，第23卷第6期，页366-368,2002年6月。
96. Santanu Mahapatra, Adrian Mihai Ionescu, Kaustav Banerjee和Michel Declercq，“基于SET的数字通信量化电路”，ieee电子通讯，第38卷第10期，第443-445页，2002年5月。

专利

R.Verma, S. Bhattacharya和S. Mahapatra，“基于石墨烯的热电发电机”，印度专利号404071,2022年8月28日．

会议出版物

1. Madhuchhanda Brahma, Arnab Kabiraj和Santanu Mahapatra，“n型磷MOSFET中各向异性耗散量子输运的见解”，2019年IEEE超大规模集成电路设计国际会议，印度德里。
2. Sahil Garg, Bipan Kaushal, Arun K. Singh, Sanjeev Kumar和Santanu Mahapatra，“自开关二极管的参数优化”，2018年IEEE纳米技术材料与器件会议(NMDC)，美国。
3. Ananda Sankar Chakraborty, Srivatsava Jandhalya和Santanu Mahapatra，“低有效质量通道通用双栅MOSFET的解析表面电位解”，紧凑建模研讨会，TechConnect简报，卷:4，页:224 - 227,2018。
4. Richa Chakravarty, Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“相工程mos2 -金顶部接触分析的新非对称原子模型”，2018年IEEE超大规模集成电路设计国际会议，印度浦那
5. Anuja Chanana, Amretashis Sengupta和Santanu Mahapatra，“复合石墨烯-氮化硼扶手椅纳米带的n-MOSFET在弹道极限下的空位缺陷分析”，计算电子学国际研讨会(IWCE) 2015。,美国。
6. Chethan Kumar M, Neha Sharan, and Santanu Mahapatra，“indDG:一种适用于栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的新型紧凑模型，”IEEE conect 2015[最佳论文奖]，印度班加罗尔。
7. Neha Sharan，和Santanu Mahapatra，“基于弛豫时间近似方法的独立DG MOSFET NQS建模”，紧凑造型工作坊2014年，美国。
8. Dipankar Saha和Santanu Mahapatra，“悬浮单层石墨烯的薄片浓度和温度依赖性电阻率的建模，”2014年IEEE新兴电子学国际会议,印度。
9. Neha Sharan和Santanu Mahapatra，“适应栅氧化厚度不对称的普通双栅MOSFET的小信号非准静态模型，”2014年IEEE超大规模集成电路设计国际会议,印度。
10. Rekha Verma, Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“碳基互连的电热方面”，2013年科技连接世界峰会和展示，2013年纳米技术会议和博览会美国华盛顿特区。
11. Pankaj Kumar Thakur和Santanu Mahapatra，“独立双栅极控制MOS电容器的建模与分析”，紧凑造型工作坊2012年，美国。
12. Sudipta Sarkar, Ananda Shankar Roy和Santanu Mahapatra，“长通道对称DG MOSFET的非准静态小信号模型”，2010超大规模集成电路设计国际会议,印度。
13. Sitangshu Bhattacharya和Santanu Mahapatra，“纳米管和纳米线表现出负电容吗?”，出现在半导体器件物理国际研讨会(IWPSD) 2009,印度。
14. Surya Shankar Dan和Santanu Mahapatra，“SET岛能量量化对混合CMOS-SET集成电路的影响”，出现在半导体器件物理国际研讨会(IWPSD) 2009,印度。
15. Surya Sankar Dan和Santanu Mahapatra，“利用噪声裕度建模和蒙特卡罗仿真分析能量量化对SET逆变器性能的影响”，2009年超大规模集成电路设计国际会议,印度。
16. Ratul Baruah和Santanu Mahapatra，“交叉点的概念及其在无掺杂体晶体管阈值电压定义中的应用”，2009年超大规模集成电路设计国际会议,印度。
17. Santanu Mahapatra, Ramesha A和Nayan Patel，“隧道场效应管:低待机功率应用的纳米级开关”，纳米与微电子国际会议(ICONAME) 2008，普杜切里，印度
18. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“ω门圆柱纳米线晶体管的一种新的阈值电压模型”，2008超大规模集成电路设计国际会议，印度海得拉巴
19. Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“ω门圆柱纳米线晶体管的分析电位模型”，纳米与微电子国际会议2008，普杜切里，印度
20. Nayan B Patel和Santanu Mahapatra，“利用SiGe源增强隧道场效应晶体管的性能”，半导体器件物理学国际研讨会2007，印度孟买
21. Biswajit Ray, Shubhakar和Santanu Mahapatra，“未来技术节点量子模拟的必要性，半导体器件物理学国际研讨会2007，印度孟买
22. Shubhakar, Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“纳米级系统中最先进设备模拟器的挑战”，超大规模集成电路设计与测试研讨会7、印度加尔各答
23. Shubhakar和Santanu Mahapatra，“材料性能和器件参数对硅纳米线场效应晶体管性能的影响”，ANM-2007国际会议印度理工学院孟买分校
24. Ashish Pal, Saptarshi Das, Biswajit Ray和Santanu Mahapatra，“基于单电子晶体管集成电路的新型Spice模拟器”，超大规模集成电路设计与测试研讨会2007，印度加尔各答
25. Nayan B. Patel和Santanu Mahapatra，“基于低待机功率应用的双栅隧道FET性能仿真研究与分析”，超大规模集成电路设计与测试研讨会2007，印度加尔各答
26. Chaitanya Sathe和Santanu Mahapatra，“SET逻辑中噪声裕度的建模与分析”，2007超大规模集成电路设计国际会议，印度班加罗尔
27. Nayan B. Patel和Santanu Mahapatra，“隧道场效应管-一种亚阈值摆动小于60 mV/decade的新型设备，适用于未来低待机功率应用”，2007年全国超大规模集成电路与通信工程会议， Kottayam，印度
28. Serge Ecoffey, Vincent Pott, Didier Bouvet, Marco Mazza,Santanu Mahapatra, Alexandre Schmid, Yusuf Leblebici, Michel J. Declercq, Adrian M. Ionescu，“室温操作混合CMOS-NANO集成电路的纳米线”，国际固态电路会议(ISSCC)， Vol. 1, pp. 260-263, 2005。
29. Adrian Mihai Ionescu, Vincent Pott, Serge Ecoffey, Santanu Mahapatra, Kirsten Moselund, Paolo Dainesi, Kathy Buchheit, Marco Mazza，“新兴纳米电子学:多功能纳米线”，中国科学院2004年研究生院，第1卷，第3-8页，10月，罗马尼亚。
30. Serge Ecoffey, Vincent Pott, Santanu Mahapatra, Didier Bouvet, Pierre Fazan, Adrian Mihai Ionescu，“使用纳米颗粒多晶硅线的混合CMOS-SET联合制造平台”，微与工程(MNE) 20049月，荷兰鹿特丹。
31. Santanu Mahapatra和Adrian Mihai Ionescu，“一种新型单电子SRAM结构”，IEEE NANO 20048月，德国慕尼黑。
32. Santanu Mahapatra, Vincent Pott, Serge Ecoffey, Alexandre Schmid, Christoph Wasshuber, Kaustav Banerjee, Yusuf Leblebici, Michel Declercq, Joseph Tringe, Adrian Mihai Ionescu，“SETMOS:一种用于未来纳米级模拟ic的新型混合SET-CMOS高电流库仑封锁振荡单元”，IEEE国际电子器件会议(IEDM) 2003， 12月，第703-706页，华盛顿特区，美国。
33. Santanu Mahapatra, Kaustav Banerjee, Florent Pegeon, Adrian Mihai Ionescu，“CMOS-SET混合集成电路协同设计和分析的CAD框架”，2003年计算机辅助设计国际会议，第497-502页，11月，美国圣何塞。
34. Santanu Mahapatra, Vincent Pott, Adrian Mihai Ionescu，“少量电子负微分电阻(NDR)器件”，国际半导体会议(CAS)2003年9月，罗马尼亚西纳亚，第1卷，第51-54页。
35. Santanu Mahapatra, Vincent Pott, Adrian Mihai Ionescu，“setmos -一种大电流库仑封锁振荡装置”，欧洲固态器件研究会议(ESSDERC)2003年9月，葡萄牙埃斯托里尔，第183-186页。
36. Santanu Mahapatra, Adrian Ionescu, Kaustav Banerjee和Michel Declercq，“单电子逻辑中功耗的建模和分析”，IEEE国际电子器件会议(IEDM)2002年12月，美国旧金山，第323-326页。
37. Santanu Mahapatra, Adrian Ionescu和Kaustav Banerjee，“单电子晶体管漏极电流和电导的准分析模型”，32^nd2002年欧洲固态器件研究会议，第391-394页，9月，意大利佛罗伦萨。
38. Adrian Ionescu, Michel Declercq, Santanu Mahapatra, Kaustav Banerjee和Jacques Gautier，“少数电子器件:走向混合CMOS-SET集成电路”，39^th设计自动化会议(DAC) 2002，页88-93，六月，新奥尔良，路易斯安那州，美国。
39. Adrian Ionescu, Michel Declercq, Santanu Mahapatra和Kaustav Banerjee，“在硅集成电路中教授微电子学:终极器件和电路课程:走向量子电子学”，4^th欧洲微电子教育研讨会(EWME) 2002五月，西班牙。
40. Santanu Mahapatra, Adrian Ionescu, Kaustav Banerjee和Michel Declercq，“针对数字通信系统的SET量化电路”，IEEE电路与系统国际研讨会(ISCAS) 2002，页V860-V863，五月，斯科茨代尔，亚利桑那州。